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本发明涉及一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件,具有小触发电流应用下的低导通电阻特性,至少包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管Q1、Q2、Q3,第一、第二可变电阻元件、第一、第二电阻构成串联结构的导通路径,形成电路模块,其中,Q1的漏极与模块...该专利属于上海长园维安微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海长园维安微电子有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件,具有小触发电流应用下的低导通电阻特性,至少包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管Q1、Q2、Q3,第一、第二可变电阻元件、第一、第二电阻构成串联结构的导通路径,形成电路模块,其中,Q1的漏极与模块...