【技术实现步骤摘要】
一种大通流低残压TVS浪涌防护器件
本技术涉及半导体
,特别涉及一种TVS与TSS串联后与第二颗TVS并联的大浪涌防护器件及其制备方法。
技术介绍
随着电子信息技术的发展,电子电路应用日益广泛,同时其需要的抗瞬态过压浪涌能力占板面积也日益严苛。瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小,体积小,响应快,漏电流小,可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。随着科技的发展我们希望TVS具有更大抗浪涌能力,但是高耐压TVS器件的抗浪涌能力相比低耐压TVS有非常显著的降低。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本技术提供了一种使用一颗TVS与TSS串联后与第二颗TVS并联封装的TVS器件及其制备方法,来保证器件在具有高工作电压的同时兼具较高的抗浪涌能力与较低的残压。本技术采用的技术方案为:一种大通流低残压TVS浪涌防护器件,包括两颗TVS芯片与一颗TSS芯片,一颗TVS芯片与一颗TSS芯片串联后与第二颗TVS芯片并联组成所述器件。具体地,所述器件的结构由左到右依次为两颗叠片设置的不同版面的TVS和TSS,以及一颗版面较小的TVS。两颗叠片的TVS和TSS的结构从上到下依次为上框架、焊料、TSS芯片、焊料、铜片、焊料、TVS芯片、焊料、下框架,一颗版面较小的TVS的结构从上到下依次为上框架、焊料、芯片、焊料、下框架,所述下框架为两颗TVS芯片共用。上述TVS器件的制备方法包括以 ...
【技术保护点】
1.一种大通流低残压TVS浪涌防护器件,其特征在于,一颗TVS芯片与一颗TSS芯片串联后与第二颗TVS芯片并联组成所述器件。/n
【技术特征摘要】
20190701 CN 20192100237411.一种大通流低残压TVS浪涌防护器件,其特征在于,一颗TVS芯片与一颗TSS芯片串联后与第二颗TVS芯片并联组成所述器件。
2.根据权利要求1所述的大通流低残压TVS浪涌防护器件,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王帅,苏海伟,魏峰,单少杰,张英鹏,金志任,
申请(专利权)人:上海长园维安微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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