一种制备低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种制备低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的工艺方法，属于低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的加工技术领域；该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的制备工艺，该原料配方包括：ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ（ＮＯ３）３.９Ｈ２Ｏ和Ｃｒ２Ｏ３；该方法包括：采用原料配方中的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３和Ａｌ（ＮＯ３）３.９Ｈ２Ｏ；球磨后烘干作为籽晶原料；再放入高温电炉中，进行第一步预烧成籽晶硬块，随炉冷却至常温；再球磨后；过筛，得到籽晶；将所有剩余的原料、籽晶与ＰＶＡ溶液混合，球磨后烘干，过筛，含水造粒，将其压成坯体；将坯体进行第二步烧结后冷却到常温。本发明专利技术在降低晶粒电阻率和降低ＺｎＯ压敏电阻残压的同时，又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于低残压ZnO压敏电阻陶瓷的加工
，特别涉及一种新的二步烧 结的籽晶法制备和烧结陶瓷工艺。
技术介绍
ZnO压敏电阻是以ZnO为主要原料，添加了少量的Bi203、Mn02、Sb203、Co203、Si02和 0203等，采用陶瓷烧结工艺制备而成。由于其良好的非线性性能和大通流容量的优点，19 世纪70年代被发现以来，ZnO压敏电阻作为电力系统避雷器的核心元件被广泛的应用于电 力系统防雷和电力设备保护。众所周之，绝缘成本占电力工程成本中的主要部分，随着电力 系统电压等级的提高，高电压等级下绝缘消耗更加庞大。而电力系统的绝缘平水平是以避 雷器的残压保护水平作为基础的，因此降低ZnO压敏电阻避雷器的残压水平，能够大幅度 降低绝缘要求，从而大幅度降低绝缘消耗和建造成本。研究低残压氧化锌压敏电阻随即成 为学术界和工业界的研究热点之一。 ZnO压敏电阻的导通过程可以分为三个阶段小电流区、中电流区以及大电流 区。小电流区(< 10—4A/cm2)被定义为预击穿区，该区域内晶界呈现出高阻状态，电流电压 (i-v)曲线表现为欧姆特性。中电流区为非线性电阻区，此区域电流急剧增大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的工艺方法，其特征在于，该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的制备工艺，该制备方法的原料配方包括：ＺｎＯ（９２．７－９７ｍｏｌ％）、Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］（０．４－０．９ｍｏｌ％）、ＭｎＯ↓［２］（０．４－０．７ｍｏｌ％）、Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］（０．５－１．５ｍｏｌ％）、ＣＯ↓［２］Ｏ↓［３］（０．５－１．５ｍｏｌ％）、ＳｉＯ↓［２］（０．８－１．７ｍｏｌ％）、Ａｌ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.９Ｈ↓［２］Ｏ（０．１－０．４ｍｏｌ％）和Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］（０．３－０．７ｍｏｌ％）；该方法包括以下步骤：　　１）籽晶的制备与第一步烧结：　　（１１...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何金良，龙望成，胡军，曾嵘，陈水明，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]