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本发明涉及一种制备低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的工艺方法，属于低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的加工技术领域；该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ＺｎＯ压敏电阻陶瓷的制备工艺，该原料配方包括：ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、ＳｉＯ...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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