一种逆导型IGBT器件及其制作方法技术

本申请提供了一种逆导IGBT器件的制作方法，包括：提供半导体结构，该半导体结构包括相互分离的IGBT元胞区快速恢复二极管元胞区；在所述IGBT元胞区的上表面形成铜电极层；以所述铜电极层为阻挡层，对所述半导体结构进行离子注入；在所述快速恢复二极管元胞区的上表面形成金属电极层，所述金属电极层电连接所述IGBT元胞区上表面的铜电极层。通过离子注入对FRD元胞区进行少子寿命控制，提高了器件的性能。采用IGBT元胞区的铜电极层作为离子注入过程中的阻挡层，保护IGBT元胞区的半导体结构不受离子注入的影响，实现了在对FRD元胞区进行少子寿命控制的同时，不影响IGBT元胞区的少子寿命，进一步提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体
，特别涉及一种逆型导IGBT器件及其制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，半导体器件越来越多的应用到人们的工作以及日常生活当中，为人们的工作以及日常生活带来了巨大的便利。逆导型IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘棚.双极型晶体管)是一种新型的IGBT器件，它将IGBT元胞结构以及FRD (Fast Recovery D1de，快速恢复二极管)元胞结构集成在同一个芯片上，具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点。一种新型的逆导型IGBT器件的俯视图如图1所示，包括独立的IGBT部分101，以及独立的FRD部分102，其中，FRD部分102围绕在IGBT部分101的四周，该结构将IGBT元胞和FRD元胞分离设置，能够有效的消除逆导型IGBT器件的负阻效应。但是，该结构的逆导型IGBT器件性能有待进一步的提尚。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种逆导IGBT器件及其制作方法，以实现提高器件性能的目的。技术方案如下:一种逆导IGBT器件的制作方法，包括:基于包括相互分离的IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆导IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括：基于包括相互分离的IGBT元胞区和快速恢复二极管元胞区的半导体结构，在所述IGBT元胞区的上表面形成铜电极层；以所述铜电极层为阻挡层，对所述半导体结构进行离子注入，所述离子注入用于所述快速恢复二极管元胞区的少子寿命控制；在所述快速恢复二极管元胞区的上表面形成金属电极层，所述金属电极层电连接所述IGBT元胞区上表面的铜电极层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海辉，肖海波，刘国友，黄建伟，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43