绝缘栅双极型晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一基区，具有第二导电类型；源区，具有不同于第二导电类型的第一导电类型并与第一基区形成第一pn结；漂移区，具有第一导电类型并与第一基区形成第二pn结；集电区，具有第二导电类型；至少一个沟槽，其中，至少一个沟槽由栅电极填充，至少一个沟槽具有第一沟槽部和第二沟槽部，第一沟槽部具有第一宽度，第二沟槽部具有第二宽度，第二宽度与第一宽度不同；以及场终止区，具有第一导电类型，位于漂移区和集电区之间，其中，场终止区包括具有。场终止区具有第二导电类型的多个埋入区，可以保证在绝缘栅双极型晶体管断开期间功率损耗降低也能够获得良好的短路鲁棒性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管（50），包括半导体本体，其特征在于，包括：?第一基区（54），具有第二导电类型；?源区（55），具有不同于所述第二导电类型的第一导电类型并与所述第一基区（54）形成第一pn结；?漂移区（53），具有不同于所述第二导电类型的第一导电类型并与所述第一基区（54）形成第二pn结；?集电区（51），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；?至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽由栅电极（56）填充，并且其中，所述至少一个沟槽具有第一沟槽部（561）和第二沟槽部（562），所述第一沟槽部具有第一宽度，所述第二沟槽部具有第二宽度，所述第二宽度与所述第一宽度不同；以及?场终止区（52），具有所述第一导电类型，并位于所述漂移区（53）和所述集电区（53）之间，?其中，所述场终止区（22、32、52）包括具有所述第二导电类型的多个埋入区（52’’）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯约阿希姆·舒尔茨，弗兰克·普菲尔什，霍尔格·豪斯肯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：实用新型
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