【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种斜沟槽超势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为第一导电类型衬底，半导体基板上部为第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型衬底与第一导电类型漂移区相邻接，半导体基板的上表面为第一主面，半导体基板的下表面为第二主面；所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度低于所述第一导电类型衬底区的掺杂浓度；其特征在于：所述的第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到第一导电类型漂移区，斜沟槽的表面覆盖有绝缘栅氧化层，在覆盖有绝缘栅氧化层的斜沟槽内填充有导电多晶硅，斜沟槽的周围以及两两相邻斜沟槽之间靠近第一主面处设置有第二导电类型注入区，所有的第二导电类型注入区连在一起，形成第二导电类型注入层，所述的斜沟槽上边缘与第一主面邻接处设置有第一导电类型注入区，第一导电类型注入区与第二导电类型注入层相邻接；在所述的导电多晶硅和第一主面上淀积有第一金属层，第一金属层与导电多晶硅、第一导电类型注入区和第二导电类型注入层均欧姆接触；在第二主面上淀积有第二金属层，第二金属层与第一导电类型衬底欧姆接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷允超，丁磊，
申请(专利权)人：张家港凯思半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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