铝合金/铬硅夹心肖特基二极管制造技术

一种铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，该二极管描述的是一种减少了载流子的注入和减少金属扩散到半导体中的二极管。在肖特基二极管中这些改进是通过在正极的金属层和半导体之间插入由硅铬混合组成的一个层实现的。该层包括一个可以充当防止金属层扩散到半导体的屏障的铬，并且该层同时减少了大量的少数载流子注入到衬底。该层的铬不需要添加光刻掩膜，因为它可以在该层被模式化后使用金属层等离子刻蚀作为掩膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铝合金/铬硅夹心肖特基二极管，其特征是：该二极管在金属层和半导体之间的接口上有一个整流结，其中该改进的二极管包括形成于预混层的一个层，该层至少由三种元素组成，包括插在金属层和半导体之间的铬、硅和碳，形成了整流结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：包兴坤，
申请(专利权)人：苏州硅智源微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：