【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区，半导体基板的上表面为第一主面，半导体基板的下表面为第二主面；其特征在于：所述的第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到第一导电类型漂移区，斜沟槽周围设置有第二导电类型杂质注入区，斜沟槽的表面覆盖有绝缘栅氧化层，斜沟槽内填充有导电多晶硅，第一主面上淀积第一金属层作为第一电极，第一电极与斜沟槽内的导电多晶硅欧姆接触，并且与第一导电类型漂移区、第二导电类型杂质注入区肖特基接触，第二主面上淀积第二金属层作为第二电极，第二电极与第二主面欧姆接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷允超，丁磊，
申请(专利权)人：张家港凯思半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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