【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子技术以及存储器器件
，具体涉及一种。
技术介绍
存储器器件主要分为挥发性和非挥发性两大类。挥发性存储器在断电时存储的信息立即丢失，它需要持续的电源供应以维持存储的信息。与挥发性存储器相反，非挥发性存储器在无电源供应时存储的数据仍能长时间保持下来，因此非挥发性存储器在存储器市场中所占的比例越来越大。当前存储器市场上的非挥发性存储器以闪存(FLASH)为主流，但是FLASH存储器在器件尺寸不断缩小化过程中存在操作电压大、操作速度慢、耐久力不够好等缺点，这在很大程度上限制了其在市场以及高科技领域的广泛应用。如图1所示，以薄膜材料的电阻在外加电压的作用下能够在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基本工作原理的阻变存储器由于具有简单的三明治器件结构、功耗低、操作速度快、保持时间长、存储密度高、可缩小性好等特点被认为是下一代非挥发性存储器的有力候选。作为下一代新型存储器技术的有力竞争者，阻变存储器的集成问题成为当前研究的重点。单个阻变存储单元集成中碰到的最严重问题就是读串扰，如图2所示，在一个最简单的2 X 2交叉阵列结构中，如果有一个阻变...
【技术保护点】
一种阻变存储器器件，其特征在于，该阻变存储器器件在低阻态时具有整流特性，包括：下电极；上电极；以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。
【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器器件，其特征在于，该阻变存储器器件在低阻态时具有整流特性，包括: 下电极； 上电极；以及 包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。2.根据权利要求1所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述下电极采用n型低阻硅材料。3.根据权利要求2所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述构成下电极的n型低阻硅材料的电阻率小于0.1 Q.cm。4.根据权利要求1所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述上电极采用Cu、Ni或Ag材料。5.根据权利要求1所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述阻变存储层采用SiO2材料，该SiO2材料是由n型娃经过热氧化生成的。6.根据权利要求5所述的阻变存储器器件，其特征在于，所述构成阻变存储层的SiO2材料的厚度为2nm至50nm。7.一种制作权利要求1至6中任一项所述的阻变存储器器件的方法，其特征在于，包括: 提供n型低阻硅作为下...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，李颖弢，龙世兵，刘琦，吕杭炳，杨晓一，孙鹏霄，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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