存储器件及其操作方法技术

一种存储器件可以包括：多个存储单元；一个或更多个备份存储单元；测试电路，适用于对在多个存储单元之中选中的测试目标单元执行备份操作和测试操作；以及控制电路，适用于在对选中测试目标单元的备份操作完成之后的测试操作执行期间访问备份存储单元而不是测试目标单元，其中，在备份操作期间，测试电路控制控制电路以将测试目标单元的原始数据复制至在备份存储单元之中选中的对应备份存储单元，以及其中，在测试操作期间，测试电路判断测试目标单元是通过还是故障。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月27日提交的申请号为10-2015-0167633的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及存储器件以及存储器件的操作方法。
技术介绍
存储器件的存储单元包括：用作开关的晶体管和用于储存电荷(即，数据)的电容器。根据电荷是否存在于存储单元的电容器中，即根据在电容器的端子处的电压为高还是低，来将数据的逻辑电平划分成“高”(逻辑1)或者“低”(逻辑0)。原则上，数据的数据保持不消耗电力，因为数据作为累积的电荷而保持在存储单元的电容器中。然而，实际上，因为由于MOS晶体管的PN耦合引起泄漏电流而导致储存在存储单元的电容器中的初始电荷量随着时间降低，所以储存的数据可能丢失。为了防止这种损耗，存储单元中储存的数据需要在数据丢失之前被读取，并且正常的电荷量需要基于读取信息而被再充电。当周期性地重复用于对单元电荷再充电的这种操作(也称作为刷新操作)时，数据被保持。每当刷新命令从存储器控制器输入至存储器件时，执行刷新操作。存储器控制器通过考虑存储器件的数据保持时间而以特定的时间间隔来输入刷新命令至存储器件。例如，当存储器件的数据保持时间为64ms，且存储器件中的所有存储单元仅在刷新命令被输入8000次时被刷新时，存储器控制器需要在64ms期间输入8000个刷新命令至存储器件。在存储器件的制造期间，在存储器件的质量测试过程中，当一些存储单元的数据保持时间未达到预定参考时间时，存储器件被视为故障器件。故障存储器件必须被丢弃。当包括具有低于参考时间的数据保持时间的存储单元的存储器件被视为失败或故障的器件时，生产量降低。此外，尽管存储器件可能已经通过质量测试，但是如果在测试之后，存储单元的数据保持时间由于各种原因而变得低于参考时间，则错误仍可能出现在存储器件中。
技术实现思路
各种实施例针对一种存储器件以及存储器件的操作方法，该存储器件能够在存储器件操作时检测具有低于参考时间的数据保持时间的存储单元。此外，各种实施例针对一种存储器件以及存储器件的操作方法，该存储器件能够执行刷新操作，使得具有低于参考时间的数据保持时间的存储单元能够正常地操作。在一个实施例中，一种存储器件可以包括多个存储单元；一个或更多个备份存储单元；测试电路，适用于对在所述多个存储单元之中选中的测试目标单元执行备份操作和测试操作；以及控制电路，适用于在对选中测试目标单元的备份操作完成之后的测试操作执行期间访问备份存储单元而不是测试目标单元，其中，在备份操作期间，测试电路控制控制电路以将测试目标单元的原始数据复制至在备份存储单元之中选中的对应备份存储单元，以及其中，在测试操作期间，测试电路判断测试目标单元是通过还是故障。在一个实施例中，一种存储器件的操作方法，所述存储器件包括多个存储单元和一个或更多个备份存储单元，所述操作方法可以包括：执行备份操作以将所述多个存储单元之中的测试目标单元的原始数据复制至备份存储单元中的对应一个备份存储单元；执行测试操作以判断测试目标单元是通过单元还是故障单元；以及在备份操作之后的测试操作期间控制访问备份存储单元而不是测试目标单元。附图说明图1为示出根据本专利技术的一个实施例的存储器件的配置的示图。图2为图示图1的存储器件的操作示例的示图。图3为示出在图1的存储器件中采用的单元阵列的部分的配置示例的示图。图4为示出在图1的存储器件中采用的测试电路的配置示例的示图。图5为图示图1的存储器件的测试操作示例的示图。图6为图示根据本专利技术的第一实施例的图1的存储器件的刷新操作的示图。图7为图示根据本专利技术的第二实施例的图1的存储器件的刷新操作的示图。图8a和图8b为图示根据本专利技术的第二实施例而执行的第一刷新操作和第二刷新操作的示图。具体实施方式以下将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以采用不同的形式实施，而不应解释为局限于本文所阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分地传达本专利技术。在本公开中，相同的附图标记在本专利技术的各个附图和实施例中表示相同的部分。在下文中，第一刷新操作是指正常刷新操作，通过该正常刷新操作，包括在单元阵列(例如，存储体)中的所有字线在刷新时段(refreshsection)tRFC期间被顺序地刷新一次。第二刷新操作是指额外的刷新操作，使得即使故障的字线(例如，具有低于预定参考时间的数据保持时间的字线)也能保持其储存的数据。现在参见图1，根据本专利技术的一个实施例，提供了一种存储器件。因此，存储器件可以包括：单元阵列110、刷新计数器120、刷新控制单元130、第一地址储存单元140、第二地址储存单元150、行电路160、列电路170以及测试电路180。刷新计数器120、刷新控制单元130、第一地址储存单元140、第二地址储存单元150、行电路160以及列电路170可以形成用于控制单元阵列110的操作的控制电路。单元阵列110可以包括多个单元区块(mat)MAT0至MATn(n为自然数)。单元区块MAT0至MATn中的每个可以包括多个字线WL、一个或更多个备份字线BWL、多个位线BL、耦接在字线WL与位线BL之间的多个存储单元MC、以及耦接在备份字线BWL与位线BL之间的多个备份存储单元BMC。刷新计数器120可以在第一刷新信号REF1被使能时产生用于第一刷新操作的计数地址C_RADD。刷新计数器120可以在第一刷新信号REF1被使能时将计数地址C_RADD的值增加1。通过将计数地址C_RADD的值增加1，字线以顺序递增的次序通过第一刷新操作来刷新。刷新控制单元130可以在刷新命令REF被施加时将第一刷新信号REF1使能。刷新控制单元130也可以在满足特定条件时将第二刷新信号REF2使能。根据本专利技术的第一实施例，当在第二刷新使能信号R2_EN的使能期间施加了预设数目的刷新命令REF时，刷新控制单元130可以将针对IR地址IR_RADD的第二刷新信号REF2使能，IR地址IR_RADD表示故障存储单元的行地址。第二刷新信号R2_EN表示出现了故障存储单元。根据本专利技术的第二实施例，当在第二刷新使能信号R2_EN的使能期间，在计数地址C_RADD与IR地址IR_RADD之间预定数目的位不同而其余的位相同的条件下，施加刷新命令REF时，刷新控制单元130可以将针对IR地址IR_ADDR的第二刷新信号REF2使能。第一地址储存单元140可以将为当前测试操作的测试目标的存储单元的地址储存作为第一地址。当用于储存在测试目标单元中的原始数据的备份的备份信号BACKUP被使能时，第一地址储存单元140可以将测试行地址T_RADD储存作为第一地址，如之后进一步所描述的。当表示故障存储单元出现的故障信号FAIL被使能时，第二地址储存单元150可以将测试行地址T_RADD储存作为第二地址。当第二地址被储存时，第二地址储存单元150可以将第二刷新使能信号R2_EN使能，并且将储存的第二地址输出作为IR地址IR_RADD。行电路160可以控制由计数地址C_RADD、IR地址IR_RADD或测试行地址T_RADD选中的字线的激活操作和预充电操作。行电路160可以在激活命令ACT被施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：多个存储单元；一个或更多个备份存储单元；测试电路，适用于对在所述多个存储单元之中选中的测试目标单元执行备份操作和测试操作；以及控制电路，适用于在对选中测试目标单元的备份操作完成之后的测试操作执行期间，访问备份存储单元而不是测试目标单元，其中，在备份操作期间，测试电路控制控制电路，以将测试目标单元的原始数据复制至在备份存储单元之中选中的对应备份存储单元，以及其中，在测试操作期间，测试电路判断测试目标单元是通过还是故障。

【技术特征摘要】
2015.11.27 KR 10-2015-01676331.一种存储器件，包括：多个存储单元；一个或更多个备份存储单元；测试电路，适用于对在所述多个存储单元之中选中的测试目标单元执行备份操作和测试操作；以及控制电路，适用于在对选中测试目标单元的备份操作完成之后的测试操作执行期间，访问备份存储单元而不是测试目标单元，其中，在备份操作期间，测试电路控制控制电路，以将测试目标单元的原始数据复制至在备份存储单元之中选中的对应备份存储单元，以及其中，在测试操作期间，测试电路判断测试目标单元是通过还是故障。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，在测试操作之后，测试电路还对测试目标单元执行更新操作，以及其中，在更新操作期间，测试电路控制控制电路，以将对应备份存储单元的原始数据返回至测试目标单元。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，测试电路通过以下步骤来执行测试操作：将参考数据写入至测试目标单元中；在写入参考数据之后的特定时间读取测试目标单元的测试数据；以及当测试数据不同于参考数据时，将测试目标单元确定为故障单元。4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，测试电路响应于刷新命令来执行备份操作、测试操作和更新操作。5.根据权利要求2所述的存储器件，其中，测试电路以字线为单位来执行备份操作和更新操作，以及其中，测试电路以每个字线的存储单元为单位来执行测试操作。6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，控制电路还执行刷新操作，使得在测试操作期间被确定为故障单元的存储单元中的一个或更多个存储单元以比其它存储单元高的频率来刷新。7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，控制电路将测试目标单元的地址储存为第一地址，以及当测试目标单元被确定为故障单元时，将测试目标单元的地址储存为第二地址。8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，当输入地址与第一地址相同时，控制电路控制对备份存储单元的访问，以及其中，在刷新时段期间，控制电路根据第二地址对被确定为故障单元的一个或更多个存储单元执行额外的刷新操作，而根据正常刷新计数地址对所述多个存储器单元执行正常刷新操作。9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，每当正常刷新操作被执行预定次数时，控制电路执...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰均，赵真熙，崔俊基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR