The invention discloses a method for eliminating the influence of the data encryption and decryption of the high security smart card chip on the reliability test of the nonvolatile memory. According to the physical data encrypted data into memory and programming the expected data inconsistencies in testing embedded in COS pre encryption function, pre encryption for data processing, to ensure the physical data into memory, consistent with the expected data. The test method of the physical data model of the nonvolatile memory can be covered by the typical physical failure mode, and the intrinsic reliability level of the nonvolatile memory in the high security smart card chip can be effectively evaluated.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法。
技术介绍
随着我国集成电路产业的不断发展,智能卡的应用越来越广泛。高安全智能卡芯片的金融业应用领域中,要求存储数据的高安全性,非易失存储器数据加解密算法和地址加扰等设计应用越来越广泛。伴随半导体新兴制造技术的发展,存储器IP供应商、晶圆厂商和芯片设计公司也在持续探索和解决安全芯片非易失存储器可靠性测试问题,这就要求三方对非易失存储器可靠性的耐久力测试达成统一的测试方法。非易失存储器晶圆级和IP级的耐循环擦写能力(耐久力)测试方法是在测试模式下,对所有存储单元写入物理数据全“0”(或全“1”),不受到存储器外围加解密电路的影响。非安全智能卡芯片的产品级耐久力测试方法,写入预期物理数据模型全“0”(或全“1”),实际写入存储器物理数据也是全“0”(或全“1”)。高安全智能卡芯片的数据加解密和地址加扰等机制对存储单元写预期物理数据模型全“1”(或全“1”),经过加密后,实际写入存储单元的物理数据为“1”和“0”的乱序列,相当于随机数。高安全智能卡芯片中应用传统的非易失存储器可靠性测试方法,存在以下问题:一是,无法覆盖典型物理失效模型,例如,擦写全“0”(或全“1”),或“0”和“1”间隔的棋盘格数据等;二是,无法实现指定存储单元“1”和“0”翻转,导致各存储单元擦写次数不均匀,无法保证所有存储空间的擦写次数都达到预期次数;三是,擦写逻辑数据错误后,存储单元物理失效信息提取、失效模式定位、人工数据处理和原因分析等工作难度较高、时间成本较大。
技术实现思路
针对上述高安全智能卡芯片非易失存储器可靠性测试技术的 ...
【技术保护点】
一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法,其特征在于,所述方法在测试COS中嵌入预解密和预加密的运算函数进行明文密文转换,实现对非易失存储器可靠性的物理数据模型测试,包括以下步骤:(1)测试脚本执行擦写指令,擦除原有数据,发送编程预期数据即预期物理数据和物理地址(密文);(2)测试COS对编程预期数据进行预解密函数运算,预期物理数据和物理地址(密文)生成逻辑数据和逻辑地址(明文);(3)逻辑数据和逻辑地址(明文)经过芯片数据加密和地址加扰等处理生成物理数据和物理地址(密文);(4)对非易失存储器物理地址写入预期物理数据(密文);(5)非易失存储器存储的物理数据(密文)经过解密电路和地址解扰生成逻辑数据和逻辑地址(明文);(6)在测试COS中完成明文预加密函数运算,生产物理数据和物理地址(密文);(7)对发送和返回的物理数据进行读校验,判断非易失存储器的物理数据与编程预期数据是否相符,若符合,则继续下一步操作;若不符合,则报错返回失效物理数据和物理地址;(8)循环执行以上擦写或读操作,完成可靠性物理数据模型测试。
【技术特征摘要】
1.一种非易失存储器耐久力物理数据模型测试方法,其特征在于,所述方法在测试COS中嵌入预解密和预加密的运算函数进行明文密文转换,实现对非易失存储器可靠性的物理数据模型测试,包括以下步骤:(1)测试脚本执行擦写指令,擦除原有数据,发送编程预期数据即预期物理数据和物理地址(密文);(2)测试COS对编程预期数据进行预解密函数运算,预期物理数据和物理地址(密文)生成逻辑数据和逻辑地址(明文);(3)逻辑数据和逻辑地址(明文)经过芯片数据加密和地址加扰等处理生成物理数据和物理地址(密文);(4)对非易失存储器物理地址写入预期物理数据(密文);(5)非易失存储器存储的物...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋玉茜,蒙卡娜,
申请(专利权)人:北京中电华大电子设计有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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