对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法技术

本发明专利技术公开了一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法，包括以下步骤：步骤一：根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二：使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位。本发明专利技术在进行物理分析定位前建立起失效模型，能够使失效模型的建模具有系统性的特点，并且大大提高非挥发存储器故障点定位的逻辑严密性和精确度，从而提高失效分析的定位效率和成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体失效分析方法，具体涉及一种。
技术介绍
失效单元位图(failure bitmap)分析方法是存储器器件失效分析的常用方法。利用位图分析，通常能够进行较为准确的故障点定位。但是由于失效因素的多样性和电路及版图结构的复杂性，单凭存储单元位图定位可能带来方向性的偏差，从而为失效分析带来困难。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，它可以提供更为精确可靠的故障定位方法。为解决上述技术问题，本专利技术的技术解决方案为，包括以下步骤步骤一根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点， 通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；所述失效模型为电路级和/或版图级失效模型。所述非挥发存储器类产品的关键电路模拟量具有可测性。所述关键电路模拟量为非挥发存储器在操作过程中加载在存储单元阵列中的编程电压和/或控制电压。步骤二 使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分 析定位；工序一、对存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型?失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二：使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位；工序一、对存储器进行测试，获得真值表中的失效表征信息，包括关键电路模拟量和失效单元位图信息；工序二、使用工序一中测量所获得的失效表征信息作为输入，在“失效模型?失效表征”真值表中...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾志敏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：