【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种随机存取存储器(RAM)芯片的测试方法。具体地，涉及一种随机 存取存储器芯片布线中有关地址总线引脚中诸如短路或断路的缺陷检测的测试方法。
技术介绍
作为断电以后不能保存其上所存储的数据的易失性存储器，RAM存储器芯片广泛 地用于电子控制和计算机领域。在RAM存储器芯片成品出厂之前都要进行检测。传统的RAM测试方法通常检测RAM 芯片中的存储单元的数据存取中是否存在缺陷，这包括RAM芯片数据引脚之间的短路或断 路缺陷。图1是检测中测试CPU和被测试的RAM芯片之间的并行总线的典型电路。其中，Ax表示地址总线的每个引脚，CPU侧的地址总线A0、Al、A2......依次与RAM芯片侧的地址总线A0、A1、A2......对应地连接在一起。图2是按照传统的RAM芯片检测方法的流程图。以256字节RAM存储器为例进行 说明。在步骤S20，将被检测的RAM存储单元的当前地址初始地设置为00000000b，继续 下一步骤S21。在步骤S21，将RAM存储单元的当前地址中的数据保存在临时寄存器R中，继续下 一步骤S22。在步骤S22，将数据0x55写入当前地...
【技术保护点】
一种通过随机存取存储器RAM芯片地址引脚检测缺陷的测试方法，其特征在于包括：向数量等于RAM芯片地址总线位数增加一、地址为全零以及地址为各条地址总线依次唯一地为1且其余地址总线为0的、特定的RAM存储单元写入相应的彼此不同的数据；读出所述特定的RAM存储单元中的对应数据，形成结果数组；确定结果数组中是否存在相同的元素；以及如果结果数组中存在相同的元素，则判断RAM芯片引脚存在布线缺陷；如果结果数组中不存在相同的元素，则判断RAM芯片地址引脚不存在布线缺陷。
【技术特征摘要】
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