非易失性存储器件制造技术

一种非易失性存储器件包括：存储器单元，所述存储器单元包括电阻可变器件和用于控制流经所述电阻可变器件的电流的开关单元；读取参考电压发生器，所述读取参考电压发生器被配置成根据在所述开关单元中发生的歪斜而产生参考电压；以及感测放大器，所述感测放大器被配置成基于所述参考电压来感测对应于流经所述电阻可变器件的电流的电压。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2011年9月19日提交的韩国专利申请号为10-2011-0094211的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及半导体设计技术，更具体而言，涉及非易失性存储器件。
技术介绍
非易失性存储器件是在即使电源被切断的情况下仍保留储存于其中的数据的存储器件，并且非易失性存储器件的实例包括快闪存储器和相变随机存取存储器(PCRAM)。具体而言，PCRAM是这样的存储器件，其通过形成诸如锗-锑-碲(GST)的相变材料的存储器单元，加热GST以使GST处于晶体状态或非晶状态，来将数据储存在存储器单元中。PCRAM具有与易失性存储器件例如RAM一样快的数据处理速率。图1是现有的PCRAM的框图。参见图1，PCRAM10利用泵浦电压VPSSA域，并且使用一种在用于电流镜的信号BIAS、CLMBL和VCLAMP的控制下经由存储器单元D(GST)路径传送感测电流的方法。在本文中，尽管未在感测节点VSAI中说明，但仍将电压锁存器与感测节点VSAI耦接，并且电压锁存器感测根据GST的电阻值而改变的感测节点VSAI的电压电平。即，当感测节点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：存储器单元，所述存储器单元包括电阻可变器件和用于控制流经所述电阻可变器件的电流的开关单元；读取参考电压发生器，所述读取参考电压发生器被配置成根据在所述开关单元中发生的歪斜而产生参考电压；以及感测放大器，所述感测放大器被配置成基于所述参考电压来感测与流经所述电阻可变器件的电流相对应的电压。

【技术特征摘要】
2011.09.19 KR 10-2011-00942111.一种非易失性存储器件，包括：第一比较器，所述第一比较器被配置成比较第一感测电压与第一参考电压并产生第一比较信号；第一驱动器，所述第一驱动器被配置成响应于所述第一比较信号而用第一电源电压来驱动第一感测电压端子；存储器单元，所述存储器单元耦接在所述第一感测电压端子与第二电源电压端子之间并且包括串联耦接的电阻可变器件和第一开关；第二开关，所述第二开关耦接在第一参考电压端子与分压端子之间并且与所述第一开关相同；电阻器，所述电阻器经由所述第二开关耦接至所述分压端子并且耦接至所述第二电源电压端子；第二比较器，所述第二比较器被配置成比较分压与第二参考电压并且产生第二比较信号；以及第二驱动器，所述第二驱动器被配置成响应于所述第二比较信号而用所述第一电源电压来驱动所述第一参考电压端子。2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一开关包括二极管。3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：第三驱动器，所述第三驱动器被配置成响应于所述第一比较信号而用所述第一电源电压来驱动第二感测电压端子；以及电压控制器，所述电压控制器被配置成基于参考电流来控制所述第二感测电压端子的电压电平。4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述第三驱动器包括电流倍增器。5.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述电压控制器具有用于在所述第二感测电压端子与所述第二电源电压端子之间镜像所述参考电流的结构。6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：开关单元，所述开关单元被配置成响应于用于选择所述存储器单元的使能信号而选择性地将所述第一感测电压端子与所述存储器单元的一端耦接...

【专利技术属性】
技术研发人员：任爀祥，金光锡，宋泽相，朴哲贤，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：