【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路和非易失性存储器芯片
，特别涉及。
技术介绍
非易失性存储器是一个发展很快的领域，现在用于非易失性存储器芯片中的存储器件多采用浮栅结构存储器件，对该浮栅结构存储器件进行擦除多采用电可擦除方式。在擦除时，是在浮栅上加上负偏压，同时在衬底上加上正偏压，进而将浮栅上的电子移除，实现对该浮栅结构存储器件的擦除。对浮栅存储器件进行擦除存在的一个问题是过擦除现象。当浮栅上的电子被移除过多时，就会出现过擦除，此时浮栅上就会存在一定量的正电荷，使得存储器件处于微开启的状态，在器件沟道中会有漏电流存在。这样会引起误读现象，而且会对下一次编程造成阻碍，因为如果要编程完全，需要往浮栅上加入比正常情况下更多的电子以中和浮栅上存在的正电荷。对于存在过擦除现象的存储单元，需要进行软编程，即将浮栅上多余的正电荷除去，使存储单元恢复到正常的情况。软编程时在栅极端加上比编程时低的正电压，在漏极端加上一定的正电压，这样沟道中流过一定的电流，其中的一些电子会被捕获到浮栅上，进而中和过擦除时在浮栅上留下的正电荷。现有常用的对存储器芯片进行擦除的方法如图1所示，首先对需要擦除...
【技术保护点】
一种对存储器芯片进行擦除的方法，其特征在于，将存储器芯片的共源极从接地方式改为接限流装置，该方法包括：对存储单元中的块进行预编程；对所有的存储单元进行擦除；对擦除之后的存储单元进行验证；以及以位线为单位进行软编程验证。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，陈映平，冀永辉，谢常青，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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