擦除非易失性存储器件的方法技术

提供一种擦除包括多个存储单元串的非易失性存储器件的方法，多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串。该方法包括：对第一存储单元串中包括的第一存储单元和第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作；在执行第一擦除操作之后对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2011年8月26日、申请号为201110248599.7、专利技术名称为“非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统”的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2010年8月26日提交的韩国专利申请第10-2010-0083044号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开内容涉及半导体存储器件，更具体地，涉及具有三维(3D)阵列结构的非易失性存储器件、其操作方法以及包含该非易失性存储器件的存储系统。
技术介绍
半导体存储器件包括诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体材料。半导体存储器件包括易失性存储器件和非易失性存储器件。在易失性存储器件中，存储的数据在电源切断时被擦除。易失性存储器件包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器件即使在电源切断时也能够保持所存储的数据。非易失性存储器件包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器件、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和铁电随机存取存储器(FRAM)。闪速存储器件包括NOR(或非)型闪速存储器件和NAND(与非)型闪速存储器件。
技术实现思路
根据本专利技术构思的实施例，一种操作非易失性存储器件的方法包括：对与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，所述与多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。所述方法还可以包括在擦除操作之前重置SSL计数和擦除计数。所述方法还可以包括：在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作通过时，在验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作之前，对SSL计数向上计数(countup)。所述方法还可以包括：当验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作失败时对擦除计数向上计数，并调整用于擦除存储块的擦除电压。所述方法还可以包括：当擦除计数达到预设值时执行错误报告。非易失性存储器件的存储单元可以在与存储单元布置于其上的衬底的长轴(majoraxis)垂直的方向上堆叠。所述方法还可以包括：在擦除操作之前重置SSL锁存器和擦除计数。所述方法还可以包括：当验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作失败时，将第一SSL的地址存储到SSL锁存器中。所述方法还可以包括：在完成验证对与所述多个SSL相关联的存储单元的擦除操作之后，当SSL锁存器存储第一SSL的地址时，向上计数所述擦除计数；以及调整用于擦除存储块的擦除电压。所述方法还可以包括：验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作。所述方法还可以包括：当验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作通过时，从SSL锁存器中删除第一SSL的地址。所述方法还可以包括：在擦除操作之前设置SSL锁存器和重置擦除计数。所述方法还可以包括：当验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作通过时，从SSL锁存器中删除第一SSL的地址。所述方法还可以包括：在完成验证对与所述多个SSL相关联的存储单元的擦除操作之后，当SSL锁存器存储仍保持在该SSL锁存器中的第二SSL的地址时，向上计数所述擦除计数；以及调整用于擦除存储块的擦除电压。根据本专利技术构思的实施例，一种非易失性存储器件包括：存储单元阵列，包括与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元；电压生成单元，被配置为生成擦除电压，所述擦除电压用于对与SSL相关联的存储单元执行擦除操作；与所述多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及控制逻辑，被配置为在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。所述非易失性存储器件还可以包括：地址译码器，其通过SSL、字线以及至少一个地选择线(GSL)连接到所述存储单元阵列。所述非易失性存储器件还可以包括读/写电路，其通过位线连接到所述存储单元阵列。所述非易失性存储器件还可以包括通过/失败检查单元，用于确定对存储单元的擦除操作的验证是失败还是通过。所述控制逻辑可以包括：擦除控制单元；SSL计数器；以及擦除计数器；所述擦除控制单元从所述通过/失败检查单元接收通过/失败数据。所述控制逻辑可以包括：擦除控制单元；SSL地址锁存器；以及擦除计数器；所述擦除控制单元从所述通过/失败检查单元接收通过/失败数据。所述非易失性存储器件可以被配置为从控制器接收信号。所述控制器可以包括RAM、处理单元、主机接口和存储器接口。所述非易失性存储器件可以被配置为向纠错块发送错误信号。根据本专利技术构思的实施例，一种在非易失性存储器件中验证擦除操作的方法包括：从构成存储块的多个SSL中选择第一串选择线(SSL)，同时不选择第二SSL；验证对连接到与所选择的第一SSL相关联的字线的存储单元的擦除操作；选择所述第二SSL，同时不选择所述第一SSL；以及验证对连接到与所选择的第二SSL相关联的字线的存储单元的擦除操作。所述方法还可以包括：预充电布置在存储块中的位线。用于预充电所述位线的电压可以包括电源电压(Vcc)。选择第一SSL可以包括向所述第一SSL施加电源电压(Vcc)。不选择第二SSL可以包括向第二SSL施加地电压(Vss)。验证对连接到与所选择的第一SSL相关联的字线的存储单元的擦除操作可以包括：向所述字线施加地电压(Vss)。所述方法还可以包括向地选择线(GSL)施加地电压(Vss)。所述方法还可以包括：向公共源极线施加地电压(Vss)。根据本专利技术构思的实施例，一种擦除非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个存储单元串，所述多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，所述方法包括：对连接到第一串选择线的第一存储单元串中包括的第一存储单元和连接到第二串选择线的第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作，第一存储单元串和第二存储单元串中的每一个包括串联连接并且在与衬底基本垂直的方向上堆叠的多个非易失性存储单元；在对第一存储单元和第二存储单元执行第一擦除操作之后，对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在对第一存储单元执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在对第二存储单元执行第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。根据本专利技术构思的实施例，一种擦除非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个存储单元串，所述多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，所述方法包括：对连接到第一串选择线的第一存储单元串中包括的第一存储单元和连接到第二串选择线的第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作，第一存储单元串和第二存储单元串中的每一个包括串联连接并且在与衬底基本垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种擦除非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个存储单元串，所述多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，所述方法包括：对连接到第一串选择线的第一存储单元串中包括的第一存储单元和连接到第二串选择线的第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作，第一存储单元串和第二存储单元串中的每一个包括串联连接并且在与衬底基本垂直的方向上堆叠的多个非易失性存储单元；在对第一存储单元和第二存储单元执行第一擦除操作之后，对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在对第一存储单元执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在对第二存储单元执行第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。

【技术特征摘要】
2010.08.26 KR 10-2010-0083044;2011.03.11 US 13/0451.一种擦除非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个存储单元串，所述多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，所述方法包括：对连接到第一串选择线的第一存储单元串中包括的第一存储单元和连接到第二串选择线的第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作，第一存储单元串和第二存储单元串中的每一个包括串联连接并且在与衬底基本垂直的方向上堆叠的多个非易失性存储单元；在对第一存储单元和第二存储单元执行第一擦除操作之后，对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在对第一存储单元执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在对第二存储单元执行第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。2.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地再次执行包括：基于在执行第二擦除操作之前的第一擦除验证操作的第一通过/失败结果，确定是否将对第二存储单元执行第二擦除验证操作。3.如权利要求2所述的方法，其中，如果第一通过/失败结果是失败，则在执行第二擦除操作之后将对第二存储单元执行第二擦除验证操作。4.如权利要求2所述的方法，还包括：存储对第一存储单元的第一擦除验证操作的第一通过/失败结果，其中，如果第一通过/失败结果是通过，则将在执行第二擦除操作之前对第二存储单元执行第二擦除验证操作。5.如权利要求4所述的方法，还包括：在执行第二擦除验证操作之后删除第一通过/失败结果；以及存储第二擦除验证操作的第二通过/失败结果。6.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地再次执行包括：基于第一擦除验证操作的第一通过/失败结果，确定在执行第二擦除操作之后是否将对第一存储单元再次执行第一擦除验证操作。7.如权利要求6所述的方法，其中，如果第一通过/失败结果是通过，则在执行第二擦除操作之后将不对第一存储单元再次执行第一擦除验证操作。8.如权利要求1所述的方法，其中，第一存储单元串和第二存储单元串连接到一地选择线。9.如权利要求1所述的方法，其中，多个存储单元串中的每一个包括第一串选择晶体管和伪单元。10.如权利要求9所述的方法，其中，多个存储单元串中的每一个包括串联连接到第一串选择晶体管的第二串选择晶体管。11.如权利要求1所述的方法，其中，执行第一擦除操作还包括：向衬底施加第一擦除电压；以及浮置连接到多个存储单元串的公共源极线。12.一种擦除非易失性存储器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹治元，蔡东赫，朴宰佑，南尚完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR