The invention belongs to the technical field of semiconductors, in particular to a non-volatile memory unit, a memory and a method of operating the same. The nonvolatile memory unit consists of 3 transistors, respectively control tube Mc, tunneling tube Mt and Ms pipe; the control gate tube Mc gate and tunneling tube Mt to form a floating gate; the tunneling tube Mt and the drain pipe drain pipe is connected; the Mt tunneling source and substrate connection, the selection of tube substrate grounding. The non-volatile memory is composed of a plurality of non-volatile storage units as described above. Non volatile memory unit, the memory provided by the invention, compared with the existing common storage structure, small unit size, and the number of ports, to a certain extent, improve the memory capacity, reduce the complexity of storage array peripheral circuit. The method provided by the invention has simple operation and is convenient to realize the relevant functions of the memory.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
,具体涉及一种非挥发性存储器单元、存储器及操作方法。
技术介绍
非挥发性存储器应用非常广泛,现有技术中具有很多不同容量、不同单元及阵列结构的产品,因其制造工艺的不同,各类非挥发性存储器的应用场合也不同。在射频识别标签芯片等应用领域中,要求低成本、小容量以及能够多次编程的非挥发性存储器。单栅极可多次编程擦除的非挥发性存储器,是基于标准CMOS工艺,具有成本低,容量小,能重复编程擦除的特点,适合在射频识别标签芯片中应用。常见的单栅极可多次编程擦除的非挥发性存储器的单元结构通常由控制管、隧穿管、读取管以及选择管组成。如图1所示,为差分结构的存储器单元的原理图,图中Mc1、Mc0为控制管,Mt1、Mt0为隧穿管,Mr1、Mr0为读取管,Ms1、Ms0为选择管;D1、D0为控制端,接在控制管电容的阱一端;REN为读取端,与读取管的源端、读取管的衬底端以及选择管的衬底端相连;TUN为隧穿端,接在隧穿管的阱一端;SEL为选择端,接在选择管的栅极;BL1、BL0为输出端,接在选择管的漏端,控制管、隧穿管以及读取管的栅接一起构成浮栅Fg1、浮栅Fg0。上述单元结构通过读取管进行编程,通过隧穿管进行擦除,其中擦除和编程是分开独立的。因此,编程和擦除可以实现同时进行,但是上述单元结构中晶体管数量较多,单元结构的面积大,而且存储器容量非常有限,单元结构的端口数目多,增加了存储阵列外围电路的复杂性,且此单元结构要求读取端REN和选择端SEL要么都位于行位置,要么位于列位置,而不是一个分布在行,一个分布在列,因此读取的时候单元阵列只确定了行或列地址,需要 ...
【技术保护点】
一种非挥发性存储器单元,其特征在于:由3个晶体管组成,分别为控制管Mc、隧穿管Mt和选择管Ms;所述控制管Mc的栅极和隧穿管Mt的栅极相连组成浮栅;所述隧穿管Mt的漏极和选择管的漏极相连;所述隧穿管Mt的源极与衬底连接,所述选择管Mt的衬底接地。
【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器单元,其特征在于:由3个晶体管组成,分别为控制管Mc、隧穿管Mt和选择管Ms;所述控制管Mc的栅极和隧穿管Mt的栅极相连组成浮栅;所述隧穿管Mt的漏极和选择管的漏极相连;所述隧穿管Mt的源极与衬底连接,所述选择管Mt的衬底接地。2.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元,其特征在于:所述选择管Ms为高压管。3.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元,其特征在于:所述控制管Mc、隧穿管Mt为P型场效应晶体管。4.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元,其特征在于:所述控制管Mc为电容或增加P+区结构的电容。5.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元,其特征在于:所述存储器单元引出4个端口,分别为控制管引出控制端,所述隧穿管的源极引出读取端,所述选择管的栅极引出选择端,所述选择管的漏极引出输出端。6.一种非挥发性存储器,其特征在于:由若干个如权利要求1至5中任一项所述非挥发性存储器单元并联组成。7.一种非挥发性存储器操作方法,采用如权利要求6中所述的非挥发性存储器,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李聪,徐顺强,王宏义,罗志鹏,郑黎明,吴建飞,王佳宋,
申请(专利权)人:中国人民解放军国防科学技术大学,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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