一次编程非挥发性存储胞制造技术

本发明专利技术公开一次编程非挥发性存储胞，包括一具单栅极结构的一第一浮动栅晶体管、一隔离晶体管与一选择晶体管。第一浮动栅晶体管的第一端连接至该第二控制线。第一浮动栅晶体管的浮动栅极为浮接。隔离晶体管的第一端连接至第一浮动栅晶体管的第二端。隔离晶体管的隔离栅极连接至隔离线。选择晶体管的第一端连接至隔离晶体管的第二端。选择晶体管的第二端连接至第一控制线。选择晶体管的选择栅极连接至字符线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储胞(memorycell)，且特别是涉及一种一次编程非挥发性存储胞。
技术介绍
众所周知，非挥发性存储器(nonvolatilememory)在断电之后仍旧可以保存其数据内容。一般来说，当非挥发性存储器制造完成并出厂后，使用者即可以编程(program)非挥发性存储器，进而将数据记录在非挥发性存储器中。而根据编程的次数，非挥发性存储器可进一步区分为多次编程的非挥发性存储器(multi-timeprogrammingnonvolatilememory，简称MTP存储器)，或者一次编程的非挥发性存储器(onetimeprogrammingnonvolatilememory，简称OTP存储器)。基本上，使用者可以对MTP存储器进行多次的储存数据修改。相反地，使用者仅可以编程一次OTP存储器。一旦OTP存储器编程完成之后，其储存数据将无法修改。美国专利US6920067公开一种整合单一多晶硅层非挥发性存储器的集成电路(integratedcircuitembeddedwithsingle-polynon-volatilememory)，其公开一种OTP存储胞(OTPm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一次编程非挥发性存储胞，连接于一第一控制线与一第二控制线之间，包括：具单栅极结构的一第一浮动栅晶体管，具有一第一端连接至该第二控制线，具有浮接的一浮动栅极；隔离晶体管，具有一第一端连接至该第一浮动栅晶体管的一第二端，具有一隔离栅极连接至一隔离线；以及选择晶体管，具有一第一端连接至该隔离晶体管的一第二端，具有一第二端连接至该第一控制线，具有一选择栅极连接至一字符线。

【技术特征摘要】
2015.07.06 US 62/188,751;2016.02.16 US 15/044,8761.一种一次编程非挥发性存储胞，连接于一第一控制线与一第二控制线之间，包括：具单栅极结构的一第一浮动栅晶体管，具有一第一端连接至该第二控制线，具有浮接的一浮动栅极；隔离晶体管，具有一第一端连接至该第一浮动栅晶体管的一第二端，具有一隔离栅极连接至一隔离线；以及选择晶体管，具有一第一端连接至该隔离晶体管的一第二端，具有一第二端连接至该第一控制线，具有一选择栅极连接至一字符线。2.如权利要求1所述的一次编程非挥发性存储胞，其中该第一浮动栅晶体管、该隔离晶体管与该选择晶体管接为p型晶体管，且该一第一控制线为一源极线且该第二控制线为一位线。3.如权利要求2所述的一次编程非挥发性存储胞，其中该第一浮动栅晶体管的一栅极氧化层的厚度大于该隔离晶体管的一栅极氧化层的厚度；以及该第一浮动栅晶体管的该栅极氧化层的厚度大于该选择晶体管的一栅极氧化层的厚度。4.如权利要求3所述的一次编程非挥发性存储胞，其中该第一浮动栅晶体管是利用一中电压元件制作工艺所制造，该选择晶体管与该隔离晶体管是利用一低电压元件制作工艺所制造。5.如权利要求3所述的一次编程非挥发性存储胞，还包括：具单栅极结构的一第二浮动栅晶体管，具有一第一端连接至该第一浮动栅晶体管的该第一端，具有一第二端连接至该第一浮动栅晶体管的该第二端，具有浮接的一浮动栅极。6.一种一次编程非挥发性存储胞，包括：p型基板，具有一N型阱区位于该p型基板的一第一表面下方；第一栅极氧化层；第二栅极氧化层；第三栅极氧化层；第一p型源/漏区域，连接至一位线；第二p型源/漏区域，其中该第一p型源/漏区域与该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭秉郁，陈冠勋，林俊宏，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71