力旺电子股份有限公司专利技术

力旺电子股份有限公司共有244项专利

  • 本发明公开一种多相位时钟产生器及其相关频率合成器。该多相位时钟产生器包括:一电流镜、一电压控制器、一拟态电阻电路与一第一延迟电路。该电流镜包括一接收端,一第一镜射端与一第二镜射端。该电压控制器连接至该接收端,该电压控制器的一反馈端连接至...
  • 本发明公开一种多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列。存储单元阵列中的存储单元可为单一晶体管与单一电容器的存储单元(1T1C cell)、二晶体管与单一电容器的存储单元(2T1C cell)或者三晶体管与单一电容器的存储单元(3T1C c...
  • 本发明公开了差动传感装置包含二个参考单元、四个路径选择器及四个采样电路。第一路径选择器耦接于第一传感节点、第二参考单元及第一存储单元。第二路径选择器耦接于第二传感节点、第一参考单元及第一存储单元。第三路径选择器耦接于第三传感节点、第一参...
  • 一种乘积累加电路,接收类神经网路系统中第一层的m个一比特神经元数值。此乘积累加电路包括:m个非易失性存储单元与m个电流源,其中m个非易失性存储单元与m个电流源形成m条电流路径。再者,第一非易失性存储单元与第一电流源形成第一电流路径,第一...
  • 一种电阻式存储器胞及其相关的阵列结构,电阻式存储器胞包括一井区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一栅极结构、第二栅极结构与第三栅极结构。第一栅极结构形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的井区的该表面上方。第二栅极结构形成于第二掺杂...
  • 本发明公开一种玻璃基板上的一次编程非挥发性存储单元,其中该一次编程非挥发性存储单元具有一存储元件,该存储元件包括:一玻璃基板、一缓冲层、一多晶硅层与二金属层。缓冲层位于该玻璃基板上。多晶硅层位于该缓冲层上。该多晶硅层包括一P型掺杂区与一...
  • 本发明公开一种具隔离阱区的存储单元及其相关非挥发性存储器,其中非挥发性存储器的存储单元包括一基板区域、一障壁层、一N型阱区、一隔离结构、一第一栅极结构、一第一侧壁绝缘层、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区与一N型掺杂区。隔离结构围绕于N...
  • 本发明公开了一种随机位元电路,随机位元电路包括由不同字元线控制的四个储存单元。第一储存单元及第二储存单元是在第一方向上依序设置,而第一储存单元及第三储存单元是在与第一方向垂直的第二方向上依序设置。第三储存单元及第四储存单元是在第一方向上...
  • 本发明公开一种只读式存储单元的存储单元阵列,包括一第一存储状态存储单元与一第二存储状态存储单元。该第一存储状态存储单元包括:一第一晶体管与一第二晶体管。该第一晶体管连接至一源极线与一字符线。该第二晶体管连接至该第一晶体管与一第一位线。该...
  • 本发明公开了一种制造半导体结构的方法,包括在基底上形成第一介电层;在所述第一介电层上形成第二介电层;使用光罩以施加光阻,从而覆盖所述第二介电层的第一部分;移除所述第二介电层的第二部分,且保留所述第二介电层的所述第一部分;及移除所述光阻。...
  • 本发明公开了制造半导体结构的方法,包括于晶圆上产生第一氧化层;于该第一氧化层上产生氮化硅层;产生复数个沟槽;以氧化材料填补该复数个沟槽以形成复数个浅沟槽隔离区;移除该氮化硅层且不移除该第一氧化层;使用光罩以施加光阻,以于第一区域遮盖该第...
  • 开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。第一N型井形成于P型基底上,且有部分设置在第一栅极结构的下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井,且设置在...
  • 本发明提出适用于感测放大器的一种操作方法,感测放大器包括第一交叉耦合锁存以及第二交叉耦合锁存,第一交叉耦合锁存以及第二交叉耦合锁存之每一个包括第一晶体管对以及耦接至第一晶体管对的个别的栅极端的耦合电容对。操作方法包括:在第一阶段中,对第...
  • 一种非易失性存储器,包括:一存储单元阵列、一列选择电路、一控制电路、一感测电路、一验证电路。列选择电路连接于该存储单元阵列与多条数据线。控制电路连接至该存储单元阵列与该列选择电路。该控制电路可决定该存储单元阵列中的多个选定存储单元,并经...
  • 本发明公开了一种存储器系统。存储器系统包括非挥发性存储器区块、随机比特区块及感测放大器。非挥发性存储器区块包括多个非挥发性存储器单元。每一非挥发性存储器单元包括第一储存晶体管。随机比特区块包括多个随机比特单元。每一随机比特单元包括第二储...
  • 一种运用于类神经网络系统的控制电路,包括:一第一乘积累加电路、一第一神经元数值储存电路与一第一处理器。第一乘积累加电路包括n个忆阻性记忆胞。n个忆阻性记忆胞的一第一端接收一供应电压,n个忆阻性记忆胞的一第二端连接至一第一位线,n个忆阻性...
  • 本发明提供一种运用于类神经网络系统的乘积累加电路的相关控制电路,该控制电路包括:一第一乘积累加电路、一第一神经元数值存储电路与一第一处理器。第一乘积累加电路包括n个忆阻性存储器胞。n个忆阻性存储器胞的一第一端接收一供应电压,n个忆阻性存...
  • 本发明公开了一种升压电路,包含主要电荷泵电路、辅助电荷泵电路及晶体管。主要电荷泵电路用以响应于时钟信号将供电电压转换为升压电压。辅助电荷泵电路用以响应于时钟信号将供电电压转换为调节电压。晶体管耦接于主要电荷泵电路及辅助电荷泵电路,且具有...
  • 本发明公开了一种存储器装置,包括阱、第一栅极层、第二栅极层、掺杂区、阻挡层及对齐层。所述第一栅极层形成于所述阱上。所述第二栅极层形成于所述阱上。所述掺杂区形成于所述阱中,且位于所述第一栅极层及所述第二栅极层之间。所述阻挡层是形成以覆盖所...
  • 一种静电放电电路,连接于输出入垫与第一节点之间。该静电放电电路包括:双向降压电路、触发电路与放电电路。该双向降压电路包括顺向路径以及逆向路径连接于该输出入垫与第二节点之间。该触发电路连接于该第二节点与该第一节点之间。该放电电路连接于该第...
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