具有不同类型配置存储器的可编程集成电路制造技术

为了在可编程集成电路(IC)(100)上实施电路设计，生成(202)第一数据以用于实施该电路设计。确定(206)电路设计的关键和非关键部分，并且生成第二数据(210、212)以用于对可编程IC的配置存储单元进行编程，从而实施该电路设计。第二数据的第一子集被分配以对第一类型的配置存储单元(118)进行编程，从而在可编程IC的可编程逻辑资源的第一子集(102)和可编程互连资源的第一子集(106)上实施电路设计的关键部分。第二数据的第二子集被分配以对第二类型的配置存储单元(120)进行编程，从而在可编程逻辑资源的第二子集(104)和可编程互连资源的第二子集(108)上实施电路设计的非关键部分。第二数据被存储(214)在电子可读存储介质中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体涉及可编程集成电路的配置存储器。
技术介绍
传统的可编程集成电路(IC)，例如复杂PLD(CPLD)和现场可编程门阵列(FPGA)，通常使用数百万个静态随机存取存储器(SRAM)配置存储单元以对实施的电路的功能进行编程。配置存储单元可以是，例如，用于对可编程IC的互连、逻辑或存储器资源进行编程的配置存储单元。随着可编程IC中越来越多数量的SRAM配置存储单元的出现，以及芯片尺寸变得越来越小以及电源电压变得越来越低，使得配置存储单元储存状态被来自外太空的宇宙微粒或来自IC封装材料的阿尔法粒子碰撞而翻转的可能性增大。存储单元状态的意想不到的改变被称作单粒子翻转(singleeventupset，SEU)。随着SEU发生的可能性增大，用于PLD的特定程序配置的平均故障时间会降低，而单位时间故障发生(failureintime，FIT)率会增加。
技术实现思路
根据在可编程集成电路上生成电路设计的实现的一种方法，生成第一数据以用于实施输入的电路设计。该方法确定电路设计的关键部分和非关键部分。生成第二数据以用于对可编程IC的配置存储单元进行编程，以实施电路设计。第二数据的第一子集被分配以对可编程IC的6T配置存储单元进行编程，以在可编程IC的可编程逻辑资源的第一子集和可编程互连资源的第一子集上实施电路设计的关键部分的3个或更多个实例。第二数据的第二子集被分配以对可编程IC的12T配置存储单元进行编程，从而在可编程IC的可编程逻辑资源的第二子集和可编程互连资源的第二子集上实施表决电路。该表决电路被耦接以接收来自电路设计的第一部分的3个实例的输出。第二数据被储存在电子可读存储介质中。根据在可编程IC上生成电路设计的实现的另一种方法，电路设计被输入并且第一数据被生成以实施电路设计。电路设计的关键和非关键部分被确定。该第二方法生成用于对可编程IC的配置存储单元进行编程以实施电路设计的第二数据。第二数据的第一子集被分配以对第一类型配置存储单元进行编程，从而在可编程IC的可编程逻辑资源的第一子集和可编程互连资源的第一子集上实施电路设计的关键部分。第二数据的第二子集被分配以编程第二类型的配置存储单元，从而在可编程IC的可编程逻辑资源的第二子集和可编程互连资源的第二子集上实施电路设计的非关键部分。第二数据被存储在电子可读存储介质中。可编程IC包括具有多个6T存储单元和多个12T存储单元的配置存储器。可编程互连资源被耦接至配置存储器。可以通过6T存储单元的子集对可编程互连资源的第一子集进行编程，并且可以通过12T存储单元的子集对可编程互连资源的第二子集进行编程。可编程逻辑资源被耦接至配置存储器。可以通过6T存储单元的子集对可编程逻辑资源的第一子集进行编程，并且可以通过12T存储单元的子集对可编程逻辑资源的第二子集进行编程。可编程输入/输出(I/O)资源被耦接至配置存储器。通过具体实施方式和权利要求书可以了解其它特征。附图说明通过阅读以下具体实施方式和参考附图可以了解公开的方法和系统的各个方面和特点，在附图中：图1示出了可编程集成电路(IC)的框图，可编程IC具有的可编程资源的一部分使用6TSRAM配置存储器配置，可编程资源的另一部分使用12TSRAM配置存储器配置；图2示出了过程的流程图，该过程用于在可编程IC上生成电路设计的实现，该可编程IC具有一些可编程存储单元，它们相比于该可编程IC的其它可编程存储单元更加不受SEU翻转的影响；图3示出了电路设计的一部分的框图，其在用6T配置存储单元配置的可编程资源中被实施成三重冗余(triplemodularredundant,TMR)，还示出了在用12T可编程存储单元配置的可编程资源中实施的表决电路；图4示出了计算布置的实施例，该计算布置被配置为实施本公开描述的过程和数据结构；以及图5示出了示例性可编程IC的框图。具体实施方式在以下描述中，许多特定的细节被提出以描述这里举出的特定例子。然而，本领域技术人员应当理解，一个或多个其它例子和/或这些例子的变化可以在不具有下述全部细节的情况下实现。在其它例子中，众所周知的细节没有详细描述，以使得这里的例子更易理解。为说明方便，相同的编号可以被用在不同的图表中以指代相同的元素或相同元素的额外实例。公开的方法和电路涉及可编程IC，在可编程IC中，一些(但非全部)配置存储单元是12T(12晶体管)SRAM单元，而其它配置存储单元是6T(6晶体管)SRAM单元。通过实施只有一些配置存储器是用12TSRAM实施的可编程IC，设计关键部分的互连和逻辑资源中并非全部都需要被做成三重冗余(TMR)以降低SEUFIT比率。可以在用12T单元配置的资源上布局和布线电路设计的关键部分，而可以在用6T单元配置的资源上布局和布线电路设计的非关键部分。或者，可以使用6T配置存储单元将电路设计的关键部分做成TMR，而可以使用12T配置存储单元实施表决电路，以使得表决电路能够从SEU快速恢复(resilient)。因为并非使用12TSRAM实施全部的配置存储单元，所以可编程IC的空间占用(footprint)没有明显大于所有配置存储器都用6TSRAM实施的可编程IC的空间占用。根据在可编程IC上生成电路设计实现的一个公开的方法，生成第一数据，以用于实施电路设计。例如，电路设计可以被汇编或者被原始地布图并布局和布线。设计者可以选择将电路设计中被选择的部分变得可靠性强且不容易受SEU影响。电路设计中被指定成可靠性强且不容易受SEU影响的部分也可以被称为“关键部分”。设计者可以指定关键部分，或者设计工具可以自动确定输入的电路设计的关键部分。例如，设计的关键部分可以是使用可编程资源的配置存储单元中的大部分以配置该可编程资源所需功能的部分。例如，如果电路设计中使用的大型查询表(LUT)的多数输入引脚都被该设计使用，那么该大型LUT可以被认为是关键的，这是因为可配置存储单元会被用于实施所需要的功能。相反，如果只有少数输入引脚被设计使用，那么该大型LUT不会被认为是关键的，因为只有一小部分配置存储单元会被用于实施所需要的功能，而大量配置存储单元不会被使用。没有使用的配置存储单元的翻转不会影响电路的运行。根据本方法，生成第二数据以用于对可编程IC的配置存储单元进行编程，从而实施电路设计。第二数据的第一子集被分配以对第一类型配置存储单元进行编程，从而在可编程IC的可编程逻辑资源的第一子集和可编程互连资源的第一子集上实施电路设计的关键部分。第二数据的第二部分被分配以对第二类型配置存储单元进行编程，从而在可编程IC的可编程逻辑的第二子集和可编程互连的第二子集上实施电路设计的非关键部分。在示例性的实施例中，第一类型配置存储单元相比第二类型配置存储单元，对SEU具有更好的抗性。也就是说，第一类型配置存储单元相比第二类型配置存储单元，更不容易受SEU影响并且具有较低的FIT比率。第二数据被储存在可编程IC中，并且随后可以被用来配置可编程IC。根据在可编程IC上生成电路设计的实现的第二方法，可编程处理器生成用于实施电路设计的第一数据，并且如上所述确定电路设计的关键部分。第二数据被生成以用于对可编程IC的配置存储单元进行编程，从而实施电路设计。第二方法的第二数据的第一子集被分配以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在可编程集成电路(IC)上生成电路设计的实现的方法，其特征在于，所述方法包括：在可编程处理器上执行以下操作：输入所述电路设计；生成用于实施所述电路设计的第一数据；确定所述电路设计的关键部分和非关键部分；生成用于对所述可编程IC的配置存储单元进行编程的第二数据，从而实施所述电路设计；其中所述第二数据的第一子集被分配以对第一类型的配置存储单元进行编程，从而在所述可编程IC的可编程逻辑资源的第一子集和可编程互连资源的第一子集上实施所述电路设计的所述关键部分；其中所述第二数据的第二子集被分配以对第二类型的配置存储单元进行编程，从而在所述可编程IC的可编程逻辑资源的第二子集和可编程互连资源的第二子集上实施所述电路设计的所述非关键部分；将所述第二数据储存在电子可读存储介质中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.14 US 14/330,9221.一种在可编程集成电路(IC)上生成电路设计的实现的方法，其特征在于，所述方法包括：在可编程处理器上执行以下操作：输入所述电路设计；生成用于实施所述电路设计的第一数据；确定所述电路设计的关键部分和非关键部分；生成用于对所述可编程IC的配置存储单元进行编程的第二数据，从而实施所述电路设计；其中所述第二数据的第一子集被分配以对第一类型的配置存储单元进行编程，从而在所述可编程IC的可编程逻辑资源的第一子集和可编程互连资源的第一子集上实施所述电路设计的所述关键部分；其中所述第二数据的第二子集被分配以对第二类型的配置存储单元进行编程，从而在所述可编程IC的可编程逻辑资源的第二子集和可编程互连资源的第二子集上实施所述电路设计的所述非关键部分；将所述第二数据储存在电子可读存储介质中。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类型的配置存储单元相比于所述第二类型的配置存储单元，对单粒子翻转(SEU)具有更好的抗性。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一类型的配置存储单元是12T存储单元，并且所述第二类型的配置存储单元是6T存储单元。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，确定所述关键部分的步骤包括：确定被使用输入的数量大于阈值的查询表(LUT)。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其特征在于：所述第二数据的所述第一子集包括：通过所述可编程互连资源的第一子集将所述可编程逻辑资源的第一子集连接至所述可编程IC的存储器资源的第一子集的配置数据，以用于储存被所述可编程逻辑的第一子集处理的数据；以及通过12T存储单元实施所述存储器资源的第一子集。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第二数据的所述第二子集包括：通过所述可编程互连资源的第二子集，将所述可编程逻辑资源的第二子集连接至所述可编程IC的存储器资源的第二子集的配置数据，以用于储存被所述可编程逻辑资源的第二子集处理的数据；以及通过6T存储单元实施所述存储器资源的第二子集。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：确定所述关键部分的步骤包括：确定被使用输入的数量大于阈值的查询表(LUT)；以及所述第一类型的配置存储单元相比于所述第二类型的配置存储单元，对单粒子翻转(SEU)具有更好的抗性。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：确定所述关键部分的步骤包括：确定被使用输...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·卡普，
申请(专利权)人：赛灵思公司，
类型：发明
国别省市：美国;US