半导体集成电路器件制造技术

本发明专利技术提供一种不伴随ＯＰＣ修正的数据量和处理时间增大而可防止靠近单元边界线的金属布线的变细和断线的半导体集成电路的布图结构。单元Ａ和单元Ｂ在单元边界线（Ｆ１）处相邻。按照以单元边界线（Ｆ１）为对称轴实质上成为轴对称的方式，配置在直至单元边界线（Ｆ１）之间都不存在其它布线区的金属布线（ｍ４、ｍ６、ｍ７、ｍ９）的布线区。另一方面，扩散区的单元边界线（Ｆ１）侧的边（ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４）相对于单元边界线（Ｆ１）是非对称的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对提高布线图形尺寸精度有效的半导体集成电路的布图 (layout)结构。
技术介绍
随着通过微细化推进布线宽度的縮小化，就变得不能忽视因光邻近效应 (proximity effect)而产生的布线宽度的变化。所谓光邻近效应是布线宽度的完成值依 赖于到邻近的布线的距离而变动的现象。光邻近效应导致布线尺寸的精度下降。为此，按 照布线间隔，因光邻近效应的影响，布线宽度会比规定值縮小，根据情况会存在断线的可能 性。 因此，基于OPC (Optical Proximity effect Correction)的对光邻近效应的影响 的修正就变得不可缺少。所谓OPC是预测由布线间隔而产生的布线宽度的变动量，并进行 修正，以便抵消此变动量，从而固定保持布线的完成宽度的技术。 例如，专利文献1已公开了一种有关多晶硅布线对策的技术。 专利文献1 :JP特开平10-32253号公报
技术实现思路
在半导体集成电路的设计中，通常通过配置登记在库(library)的标准单元 (standard cell)来进行布图设计。此情况下，对于最靠近某一单元的单元边界线的金属布 线来说，到邻近的布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件，包括单元结构互不相同、且在沿着第一方向延伸的单元边界线处相邻的第一及第二标准单元，在上述第一及第二标准单元中，按照以上述单元边界线为对称轴实质上成为轴对称的方式，配置沿着上述第一方向延伸、且在直至上述单元边界线之间都不存在其它布线区的矩形的布线区；并且，直至上述单元边界线之间都不存在其它扩散区的扩散区的上述单元边界线侧的边，以上述单元边界线为对称轴成为非对称。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-7-4 2008-176143一种半导体集成电路器件，包括单元结构互不相同、且在沿着第一方向延伸的单元边界线处相邻的第一及第二标准单元，在上述第一及第二标准单元中，按照以上述单元边界线为对称轴实质上成为轴对称的方式，配置沿着上述第一方向延伸、且在直至上述单元边界线之间都不存在其它布线区的矩形的布线区；并且，直至上述单元边界线之间都不存在其它扩散区的扩散区的上述单元边界线侧的边，以上述单元边界线为对称轴成为非对称。2. —种半导体集成电路器件，包括单元结构互不相同、且在沿着第一方向延伸的单元边界线处相邻的第一及第二标准单元，在上述第一及第二标准单元中，按照以上述单元边界线为对称轴实质上成为轴对称的方式，配置沿着上述第一方向延伸、且在直至上述单元边界线的范围内都不存在其它布线区的矩形的布线区；并且，在以上述单元边界线为对称轴实质上成为轴对称的矩形的布线区中，接触器的配置以上述单元边界线为...

【专利技术属性】
技术研发人员：池上智朗，西村英敏，中西和幸，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]