存储器件、刷新方法以及包括其的系统技术方案

可以提供一种存储器件。所述存储器件可以包括激活控制部，被配置为当激活信号被激活时，响应于刷新信号来输出行激活信号。所述存储器件可以包括刷新管理部，被配置为响应于刷新命令信号和刷新跳过信号来控制刷新信号以跳过对未用行地址的刷新操作，并且输出用于控制刷新操作的激活行地址。所述存储器件可以包括存储部，被配置为响应于行激活信号和激活行地址来仅对单元阵列中与已用行地址相对应的区域执行刷新操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、刷新方法以及包括其的系统相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0169382的韩国申请的优先权，其通过引用整体合并于本文。
各种实施例总体而言涉及一种存储器件、刷新方法和包括其的系统。更具体地，各种实施例可以涉及一种能够降低存储器件的刷新电流的技术。
技术介绍
近来，在包括智能手机等的移动电子产品中，存在对具有大容量的DRAM的需求。通常，在诸如DRAM的半导体存储器件中，存储在存储单元中的数据可能被泄漏电流改变。因此，为了周期性地对存储在存储单元中的数据进行再充电，需要刷新操作。即，诸如DRAM的动态半导体存储器中的存储单元将数据存储在电容性元件上。由于来自电容性元件的电荷泄漏，所以应当周期性地刷新存储单元。刷新过程典型地包括执行读取操作的步骤，以照原样地读取存储在存储单元中的电荷的电平。具体地，诸如DDRSDRAM(双数据速率同步DRAM)的半导体存储器件包括用于存储数据的多个存储体，其中，多个存储体中的每个包括数千万个存储单元或者更多个存储单元。每个存储单元包括单元电容器和单元晶体管，并且半导体存储器件通过将电荷充电至单元电容器或者将电荷从单元电容器放电的操作来存储数据。存储在单元电容器中的电荷量应当始终是恒定的，理想地，不存在单独的控制。然而，实际上，由于外围电路的电压差，所以存储在单元电容器中的电荷量会变化。即，在单元电容器被充电的状态下，电荷可能被放电，或者在单元电容器被放电的状态下，电荷可能被引入。如上所述，单元电容器的电荷量中的电荷表示存储在单元电容器中的数据的电荷，其表示存储数据的损耗。为了大体上防止这种数据损耗，半导体存储器件执行刷新操作。随着时间的推移，已经开发了不同类型的刷新方法。在正常的自动刷新方法中，刷新定时器存在于存储芯片的外部，并且存储芯片响应于由控制器供应的周期性刷新命令而执行刷新操作。在自刷新方法中，刷新定时器存在于存储芯片的内部，并且全部的存储芯片需要来自控制器的刷新开始命令。
技术实现思路
各种实施例可以针对一种存储器件、刷新方法以及包括其的系统，并且涉及通过仅对使用程序的区域执行刷新来降低刷新电流。在一个实施例中，可以提供一种存储器件。所述存储器件可以包括激活控制部，被配置为当激活信号被激活时，响应于刷新信号来输出行激活信号。所述存储器件可以包括刷新管理部，被配置为响应于刷新命令信号和刷新跳过信号来控制刷新信号以跳过对未用行地址的刷新操作，以及输出用于控制刷新操作的激活行地址。所述存储器件可以包括存储部，被配置为响应于行激活信号和激活行地址来仅对单元阵列中与已用行地址相对应的区域执行刷新操作。在一个实施例中，可以提供一种存储器件的刷新方法。存储器件的刷新方法可以包括如下的步骤：将在存储器管理单元的表中的虚拟地址映射至物理地址，加载物理地址的特定位，以及设定用于屏蔽存储器件的刷新操作的信号。存储器件的刷新方法可以包括：在存储器件的模式寄存器组中设定用于屏蔽存储器件的刷新操作的信号的步骤。存储器件的刷新方法可以包括：当进入刷新管理模式时，响应于在模式寄存器组中设定的行控制信号和刷新信号来仅对已用存储区执行刷新的步骤。存储器件的刷新方法可以包括解除刷新管理模式的步骤。在一个实施例中，可以提供一种系统。所述系统可以包括中央处理单元，被配置为接收程序命令以及运行相应的程序。所述系统可以包括存储器管理单元，被配置为响应于从中央处理单元施加的命令信号来将虚拟地址映射至物理地址，以及从物理地址中提取用于仅对程序被运行的区域执行刷新操作的行地址信息。所述系统可以包括存储器控制器，被配置为响应于从存储器管理单元施加的行地址信息来输出命令信号和地址。所述系统可以包括存储器件，被配置为响应于从存储器控制器施加的命令信号和地址来执行刷新操作，以及响应于在存储器管理单元中设定的行地址信息来仅对已用存储区执行刷新操作。根据一个实施例，通过仅对使用程序的区域执行刷新可以降低刷新电流。附图说明图1是图示根据一个实施例的包括存储器件的系统的示例表示的配置图。图2是图示图1中的存储器件的示例表示的配置图。图3是用于解释根据图2的实施例的存储器件的刷新方法的示例的流程图表示。图4和图5是表示用于解释根据图2的实施例的存储器件的操作的示例的示图。具体实施方式在下文中，将通过实施例的各种示例，参考附图来描述一种存储器件、刷新方法和包括存储器件的系统。图1是图示根据一个实施例的包括存储器件的系统的示例表示的配置图。根据一个实施例的系统可以包括：CPU(中央处理单元)10、MMU(存储器管理单元)20、存储器控制器30以及存储器件100。CPU10接收来自用户的编程命令，并且执行编程命令。这种CPU10可以包括：控制单元、运算单元和存储单元等等。MMU20可以执行实际存储器与虚拟存储器之间的地址转换。即，在包括OS(操作系统)的系统中，需要执行用于在存储器件100中动态地产生程序或将程序从存储器件100中擦除的操作。MMU20处理虚拟存储区和物理存储区的地址。这种MMU20将从CPU10施加的物理地址和命令信号进行转换，并且将转换结果输出至存储器控制器30。MMU20是执行大体上管理存储资源的功能的程序，并且OS通过该程序来大体上管理基于程序的存储区。例如，MMU20包括：程序ID字段、虚拟地址字段和物理地址字段。此外，MMU20大体上通过运行用于将虚拟地址映射至物理地址的表来管理存储器件100。图1中的表表示了存储在MMU20中的存储器分配的一个示例。例如，该表表示了当程序ID被设定为0至5时，程序0至程序5的状态被激活的状态。与程序ID相对应的虚拟地址可以被设定为8000、A000、5021、8000、BCDD和8000。该表表示了相应的程序ID将与虚拟地址相对应的存储区映射至物理地址的方法。MMU20将这种虚拟地址转换至物理地址5AF000、3BF000、2CF000、1DF000、7EF000和6FF000。使用这种物理地址来产生存储器件100的地址。物理地址的特定区域的位被匹配成存储器件100的行地址。即，MMU20将物理地址中的区域A的位信息设定为存储器件100的行刷新信息，并且将该行刷新信息输出至存储器控制器30。存储器件100可以对应于从存储器控制器30施加的行地址信息而跳过刷新操作。系统在通过MMU20产生程序时动态地分配存储区，以及在程序不存在时解除存储区的分配。因此，MMU20大体上管理对应的存储区，使得在运行其它程序时可以分配这些存储区。通过这种方法，系统可以大体上更有效地管理有限的物理存储区。存储器控制器30对应于从MMU20施加的物理地址和控制信号来输出用于控制存储器件100的操作的命令信号CMD和地址ADD。例如，存储器件100对应于从存储器控制器30施加的命令信号CMD和地址ADD来执行激活操作、预充电操作、刷新操作、读取操作和写入操作等等。这种存储器件100可以包括随后将要描述的存储器件100中的刷新管理部120。随着计算系统的存储容量增加，用于操作存储器的电流也增加。具体地，由于DRAM根据其特性来使用与存储容量成比例的刷新电流，所以存储器的刷新电流的问题在未来大容量的存储计算系统中可能成为最大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：激活控制部，被配置为当激活信号被激活时，响应于刷新信号来输出行激活信号；刷新管理部，被配置为响应于刷新命令信号和刷新跳过信号来控制刷新信号以跳过针对未用行地址的刷新操作，以及输出用于控制刷新操作的激活行地址；以及存储部，被配置为响应于行激活信号和激活行地址来仅对单元阵列中与已用行地址相对应的区域执行刷新操作。

【技术特征摘要】
2015.11.30 KR 10-2015-01693821.一种存储器件，包括：激活控制部，被配置为当激活信号被激活时，响应于刷新信号来输出行激活信号；刷新管理部，被配置为响应于刷新命令信号和刷新跳过信号来控制刷新信号以跳过针对未用行地址的刷新操作，以及输出用于控制刷新操作的激活行地址；以及存储部，被配置为响应于行激活信号和激活行地址来仅对单元阵列中与已用行地址相对应的区域执行刷新操作。2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：命令解码器，被配置为对从外部施加的命令信号解码，以及输出激活信号、刷新命令信号和刷新跳过信号；以及预充电控制部，被配置为响应于刷新信号来将预充电信号输出至激活控制部。3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，命令解码器从外部存储器管理单元接收关于未用行地址和已用行地址的信息。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，刷新管理部响应于刷新命令信号和刷新跳过信号来去激活及输出刷新信号，以及响应于刷新命令信号和刷新跳过信号来控制刷新信号。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，刷新管理部包括：模式寄存器组，被配置为响应于刷新跳过信号和释放信号来输出行控制信号；计数器，被配置为对刷新信号计数，以及输出行地址；组合部分，被配置为将行地址与行控制信号组合，以及输出刷新使能信号；刷新控制部分，被配置为响应于刷新命令信号和刷新使能信号来控制刷新信号；以及选择部分，被配置为响应于刷新信号来选择计数器的输出地址和外部地址中的任意一个，以及输出激活行地址。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，刷新管理部还包括：控制部分，被配置为接收激活信号和外部地址，以及产生用于重置模式寄存器组的释放信号。7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，在行地址中的特定的第一行地址处于高电平并且行控制信号处于高电平时，当刷新使能信号进入低电平时，刷新管理部允许不执行刷新操作，以及在第一行地址处于低电平并且行控制信号处于高电平时，当刷新使能信号进入高电平时，刷新管理部允许执行刷新操作。8.根据权利要求5所述的存储器件，其中，选择部分在刷新信号被激活时选择计数器的输出地址，以及在刷新信号被去激活时选择外部地址。9.一种系统，包括：中央处理单元，被配置为接收程序命令，以及运行相应的程序；存储器管理单元，被配置为响应于从中央处理单元施加的命令信号来将虚拟地址映射至物理地址，以及从物理地址中提取用于仅对程序在其中被运行的区域执行刷新操作的行地址信息；存储器控制器，被配置为响应于从存储器管理单元施加的行地址信息来输出命令信号和地址；以及存储器件，被配置为响应于从存储器控制器施加的命令信号和地址来执行刷新操作，以及响应于在存储器管理单元中设定的行地址信息来仅对已用存储区执行刷新操作。10.根据权利要求9所述的系统，其中，在物理地址中用于特定区域的地址位被加载为行地址信息，并且用于特定区域的地址位彼此逻辑组合，使得对具有行地址“0”或“1”...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昌铉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR