3D NAND存储器件、制造方法以及台阶校准方法技术

本方案提供的3D NAND存储器件，通过在台阶层设置多层台阶掩膜，并对每一层的台阶掩膜设置一个台阶标记，且，沿字线方向，每层台阶掩膜与台阶标记的间距均为第一预设值，用于实现对台阶的对齐校准，使得台阶不会因为层数的增加导致台阶的扭曲变形。除此，本方案将台阶层分成第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，将第一台阶区域用于放置真正的台阶，第二台阶区域用于放置台阶标记，这样能够合理的利用存储器件的空间，不会导致原存储器件体积的增加。并且，本方案可以选择在刻蚀台阶掩膜的同时，刻蚀出台阶标记，使得工艺更加简单。

【技术实现步骤摘要】
3DNAND存储器件、制造方法以及台阶校准方法
本专利技术涉及闪存存储器领域，更具体地说，涉及一种3DNAND存储器件、制造方法以及台阶校准方法。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。在3DNAND存储器结构中，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构，这些垂直堆叠的多层数据存储单元称之为台阶。随着存储容量需求的不断提高，3DNAND存储器所需要的台阶数也越来越多，与此同时，需要越来越厚的光刻胶实现对台阶的刻蚀，然而，光刻胶的厚度增大会对台阶的校准以及过程控制提出很大的挑战。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种3DNAND存储器件、制造方法以及校准测量方法，通过对台阶设置标记，以防止由于光刻胶厚度变大导致的台阶扭曲变形的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种3DNAND存储器件，包括：第一衬底；所述第一衬底上的台阶层，所述台阶层包括第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，所述第一台阶区域以及所述第二台阶区域同时位于所述片区域的两侧；所述片区域包括多层台阶掩膜，每层所述台阶掩膜设置一个台阶标记，所述台阶标记位于所述台阶层的第二台阶区域，且，沿字线方向，每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值。优选的，所述第一台阶区域与所述第二台阶区域的区域大小相同。优选的，所述台阶掩膜的层数与所述台阶标记的数量相同。优选的，位于所述片区域最下层的台阶掩膜设置有定位台阶标记以及第一级台阶标记，其中，所述定位台阶标记与所述最下层的台阶掩膜的第一边的间距为第二预设值，所述第一级台阶标记与所述最下层的台阶掩膜的第二边的间距为所述第一预设值。优选的，沿字线方向，相邻两层所述台阶标记的间距均为第三预设值。优选的，沿位线方向，所述台阶标记的高度小于等于所述同层所述台阶掩膜的厚度。优选的，相邻两层所述台阶掩膜中，沿字线方向，位于沿位线方向上方的所述台阶掩膜的宽度为位于沿位线方向下方的所述台阶掩膜的宽度的三分之二。一种3DNAND存储器件的制造方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成台阶层，所述台阶层包括第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，分别在所述片区域的两侧形成所述第一台阶区域以及所述第二台阶区域；在所述片区域上形成多层台阶掩膜，并在每层所述台阶掩膜形成的同时形成一个台阶标记，所述台阶标记位于所述台阶层的第二台阶区域，且，沿字线方向，每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值。优选的，在所述片区域上形成区域面积大小相同的所述第一台阶区域以及所述第二台阶区域。优选的，在位于所述片区域最下层的台阶掩膜上形成定位台阶标记以及第一级台阶标记，其中，所述定位台阶标记与所述最下层的台阶掩膜的第一边的间距为第二预设值，所述第一级台阶标记与所述最下层的台阶掩膜的第二边的间距为所述第一预设值。优选的，包括：在相邻两层所述台阶掩膜中，沿字线方向，形成位于沿位线方向上方的所述台阶掩膜的宽度为位于沿位线方向下方的所述台阶掩膜的宽度的三分之二。一种3DNAND存储器件的台阶校准方法，基于任一项上述的存储器件，包括：根据所述台阶标记，刻蚀所述台阶掩膜，使得每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本方案提供的3DNAND存储器件，通过在台阶层设置多层台阶掩膜，并对每一层的台阶掩膜设置一个台阶标记，且，沿字线方向，每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值，用于实现对台阶的对齐校准，使得台阶不会因为层数的增加导致台阶的扭曲变形。除此，本方案将台阶层分成第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，并且，第一台阶区域与第二台阶区域同时设置在片区域的两侧，即，片区域用于设置多层台阶掩膜，第一台阶区域用于放置真正的台阶，第二台阶区域用于放置台阶标记，这样能够合理的利用存储器件的空间，不会导致原存储器件体积的增加。并且，本方案可以选择在刻蚀台阶掩膜的同时，刻蚀出台阶标记，使得工艺更加简单，又或者，可以先刻蚀出台阶标记，然后根据所述台阶标记与台阶掩膜的位置关系，刻蚀出台阶掩膜的边框，解决了现有技术中由于台阶数量多，没有校准标记而导致的过程控制困难以及校准难的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本实施例提供的一种3DNAND存储器件的结构示意图；图2为本实施例提供的一种存储器件的台阶的结构示意图；图3为本实施例提供的存储器件的台阶标记的又一结构示意图；图4为本实施例提供的存储器件的台阶标记的又一结构示意图；图5为多层台阶叠加后的自上至下的俯视图；图6为本实施例还提供的一种3DNAND存储器件的制造方法的流程图；图7为本实施例还提供了一种3DNAND存储器件的台阶校准方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本方案提供的3DNAND存储器件，通过在台阶层设置多层台阶掩膜，并对每一层的台阶掩膜设置一个台阶标记，且，沿字线方向，每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值，用于实现对台阶的对齐校准，使得台阶不会因为层数的增加导致台阶的扭曲变形。除此，本方案将台阶层分成第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，并且，第一台阶区域与第二台阶区域同时设置在片区域的两侧，即，片区域用于设置多层台阶掩膜，第一台阶区域用于放置真正的台阶，第二台阶区域用于放置台阶标记，这样能够合理的利用存储器件的空间，不会导致原存储器件体积的增加。并且，本方案可以选择在刻蚀台阶掩膜的同时，刻蚀出台阶标记，使得工艺更加简单，又或者，可以先刻蚀出台阶标记，然后根据所述台阶标记与台阶掩膜的位置关系，刻蚀出台阶掩膜的边框，解决了现有技术中由于台阶数量多，没有校准标记而导致的过程控制困难以及校准难的问题。具体的，请参阅图1-图3，其中，图1为本实施例提供的一种3DNAND存储器件的结构示意图，图2为本实施例提供的存储器件的台阶的结构示意图，图3为本实施例提供的存储器件的台阶标记的又一结构示意图，该存储器件包括：第一衬底；所述第一衬底上的台阶层，所述台阶层包括第一台阶区域101、片区域102以及第二台阶区域103，其中，所述第一台阶区域101以及所述第二台阶区域103同时位于所述片区域102的两侧；即，对应图1中，片区域102的两侧均设置有第一台阶区域101以及第二台阶区域103，优先的，第一台阶区域101和第二台阶区域103所占用的面积相同。需要说明的是，在本实施例中，第一台阶区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：第一衬底；所述第一衬底上的台阶层，所述台阶层包括第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，所述第一台阶区域以及所述第二台阶区域同时位于所述片区域的两侧；所述片区域包括多层台阶掩膜，每层所述台阶掩膜设置一个台阶标记，所述台阶标记位于所述台阶层的第二台阶区域，且，沿字线方向，每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值。

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器件，其特征在于，包括：第一衬底；所述第一衬底上的台阶层，所述台阶层包括第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，所述第一台阶区域以及所述第二台阶区域同时位于所述片区域的两侧；所述片区域包括多层台阶掩膜，每层所述台阶掩膜设置一个台阶标记，所述台阶标记位于所述台阶层的第二台阶区域，且，沿字线方向，每层所述台阶掩膜与所述台阶标记的间距均为第一预设值。2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一台阶区域与所述第二台阶区域的区域大小相同。3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述台阶掩膜的层数与所述台阶标记的数量相同。4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，位于所述片区域最下层的台阶掩膜设置有定位台阶标记以及第一级台阶标记，其中，所述定位台阶标记与所述最下层的台阶掩膜的第一边的间距为第二预设值，所述第一级台阶标记与所述最下层的台阶掩膜的第二边的间距为所述第一预设值。5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，沿字线方向，相邻两层所述台阶标记的间距均为第三预设值。6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，沿位线方向，所述台阶标记的高度小于等于所述同层所述台阶掩膜的厚度。7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，相邻两层所述台阶掩膜中，沿字线方向，位于沿位线方向上方的所述台阶掩膜的宽度为位于沿位线方向下方的所述台阶掩膜的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕震宇，宋立东，李勇娜，潘锋，戴晓望，刘丹，杨伟毅，杨世宁，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42