非易失性存储器系统及其擦除方法技术方案

一种非易失性存储器系统及其擦除方法，其中所述擦除方法包括：提供目标位存储子阵列；依次读取并存储目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列中的第一数据；对目标位存储子阵列进行擦除操作；依次读取目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列中存储的第二数据，每次读取后，将第二数据和相应的第一数据进行比较，若第一数据与第二数据不相同，则给出对相应的位存储子阵列进行重新写入的命令；根据重新写入的命令和存储的第一数据，对相应的位存储子阵列进行重新写入。防止了对目标位存储子阵列进行擦除操作时，对目标位存储子阵列所在行的其他的位存储子阵列的干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器领域，特别涉及一种。
技术介绍
只读存储器(Read Only Memory, ROM)为一种非易失性存储器(Non-volatileMemory)，所存入的信息和数据不会因为电源供应的中断而消失。可擦除和编程只读存储器(Erasable Programmable ROM,ERPOM)则是将只读存储器的应用推广到可以进行数据的擦除与重新写入，但是擦除的动作需要用到紫外线，因此制作EPROM的成本较高。此外，EPROM进行数据删除时，将把所有存储在EPROM的数据全部擦除，这使得每次数据修改时，需重新编程，相当耗时。 另一种可以让数据修改的可擦除可编程只读存储器(Electrically ErasableProgrammable R0M，EEPR0M)则无上述缺点，在进行数据的擦除与重新写入时，可以“一个存储单元一个存储单元的进行”(Bit By Bit)的进行，数据可以进行多次的写入、读出和擦除等操作。参考图1，图I为现有EEPROM存储阵列的结构示意图，包括若干呈行列排布的全局字线GWL和总位线GBL，位于总位线GBL和全局字线GWL的交叉处的位存储子阵列10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器系统，其特征在于，包括：非易失性存储器阵列，所述非易失性存储器阵列具有若干行，每一行具有若干位存储子阵列，所述位存储子阵列为数据的擦除单位，所述位存储子阵列中具有若干共享字线的存储单元；状态控制单元，用于接收地址和控制命令，对控制命令进行解析，输出相应的控制信号，对地址进行转换，输出行地址和列地址；行译码单元，接收状态控制单元输出的行地址，对行地址进行译码，选择对应输入的行地址的字线；列译码单元，接收状态控制单元输出的列地址，对列地址进行译码，选择对应输入的列地址的位线，通过位线将位存储子阵列中的数据读出或者将输入/输出缓存单元中的数据写入位存储子阵列中；灵敏放大器单元，将列...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，顾靖，胡剑，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：