【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，首先在浮栅上沉积偏移侧墙，其次对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度，最后对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。本专利技术能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而得到稳定的浮栅擦除性能。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造技木，尤其涉及ー种。
技术介绍
如图1所示，是半导体浮栅存储単元的结构示意图，衬底上设置源极和位线，衬底上设置有源线，源线两侧为氧化物层，浮栅101设置在衬底上，位于源线的两侧，浮栅101和控制栅之间设置有氧化物隔离层，氧化物层和字线(选择柵)之间设置有偏移侧墙102，氧化物层充满浮栅101、氧化物隔离层、控制栅、偏移侧墙102、字线和衬底之间的空隙。在该浮栅存储単元的制备过程中，我们截取一部分步骤进行说明，首先从对控制栅进行刻蚀开始，刻蚀后的结构如图2所示，然后在浮栅101上沉积偏移侧墙102，沉积后的结构如图3所示，接着对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。但是，如图4所示，采用干法刻蚀对偏移侧墙102进行刻蚀，刻蚀后，浮栅...
【技术保护点】
一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，该方法包含以下步骤：步骤1、在浮栅（101）上沉积偏移侧墙（102）；步骤2、对偏移侧墙（102）进行干法刻蚀；步骤3、再对浮栅（101）进行多晶硅二次刻蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，宁丹，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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