在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法技术

一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，首先在浮栅上沉积偏移侧墙，其次对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度，最后对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。本发明专利技术能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而得到稳定的浮栅擦除性能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，首先在浮栅上沉积偏移侧墙，其次对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度，最后对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。本专利技术能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而得到稳定的浮栅擦除性能。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造技木，尤其涉及ー种。
技术介绍
如图1所示，是半导体浮栅存储単元的结构示意图，衬底上设置源极和位线，衬底上设置有源线，源线两侧为氧化物层，浮栅101设置在衬底上，位于源线的两侧，浮栅101和控制栅之间设置有氧化物隔离层，氧化物层和字线(选择柵)之间设置有偏移侧墙102，氧化物层充满浮栅101、氧化物隔离层、控制栅、偏移侧墙102、字线和衬底之间的空隙。在该浮栅存储単元的制备过程中，我们截取一部分步骤进行说明，首先从对控制栅进行刻蚀开始，刻蚀后的结构如图2所示，然后在浮栅101上沉积偏移侧墙102，沉积后的结构如图3所示，接着对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。但是，如图4所示，采用干法刻蚀对偏移侧墙102进行刻蚀，刻蚀后，浮栅101上存在残余氧化物，该残余氧化物的厚度大约为IOA左右，由于干法刻蚀受到刻蚀速率和前层薄膜厚度的影响，刻蚀后残余氧化物的剰余量不能得到很好的控制。由于偏移侧墙102刻蚀后的残余氧化层不稳定，在浮栅多晶硅二次刻蚀时就需要刻蚀不同量的氧化物，但在干法刻蚀程式中氧化物的刻蚀时间是恒定的，不能随前层膜厚而改变，因此如图5所示，浮栅侧壁就会形成不同形状，由于在该半导体浮栅存储単元中，是利用浮栅侧壁结构来进行擦除操作，这样就导致了存储単元擦除性能的不稳定性，从而降低器件的性能。
技术实现思路
本专利技术提供的ー种，能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而获得稳定的浮栅擦除性能。为了达到上述目的，本专利技术提供ー种，该方法包含以下步骤: 步骤1、在浮栅上沉积偏移侧墙； 步骤2、对偏移侧墙进行干法刻蚀； 步骤3、再对浮栅进行多晶硅二次刻蚀。在步骤2和步骤3之间，增加如下步骤A: 对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度。偏移栅干法刻蚀后测量剰余的氧化物量，根据所需最终氧化物的目标值，计算出需要刻蚀的氧化物量，然后湿法蚀刻相应的氧化物，从而在浮栅上形成稳定的残余氧化物，以便在后续浮栅多晶硅二次刻蚀中形成稳定的浮栅侧壁结构。所述的动态湿法刻蚀采用的溶剂为DHF溶液，或者HF溶液，或者HF与去离子水混合溶剤。优选的动态湿法刻蚀溶剂采用HF与去离子水混合溶剤。所述的DHF溶液为200:1 DHF溶液。所述的HF溶液为200:1HF溶液。本专利技术能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定统一的浮栅侧壁结构，从而得到稳定的浮栅擦除性能。【专利附图】【附图说明】图1是
技术介绍
中半导体浮栅存储単元的结构示意图； 图2是
技术介绍
中控制栅刻蚀后的结构示意图； 图3是
技术介绍
中偏移侧墙沉积后的结构示意图； 图4是
技术介绍
中采用干法刻蚀对偏移侧墙进行刻蚀后的结构示意图； 图5是
技术介绍
中浮栅多晶硅二次刻蚀后浮栅侧壁的结构示意图。图6是本专利技术提供的ー种中对偏移侧墙进行动态湿法刻蚀后的结构示意图。【具体实施方式】以下根据图6，具体说明本专利技术的较佳实施例。ー种，该方法包含以下步骤: 步骤1、在浮栅101上沉积偏移侧墙102 ； 步骤2、对偏移侧墙102进行干法刻蚀； 步骤3、再对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。在步骤2和步骤3之间，增加如下步骤A: 对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度； 偏移栅干法刻蚀后测量剰余的氧化物量，根据所需最终氧化物的目标值，计算出需要刻蚀的氧化物量，然后湿法蚀刻相应的氧化物，从而在浮栅上形成稳定的残余氧化物，以便在后续浮栅多晶硅二次刻蚀中形成稳定的浮栅侧壁结构。所述的动态湿法刻蚀采用的溶剂为DHF溶液，或者HF溶液，或者HF与去离子水混合溶剂； 所述的DHF溶液为200:1 DHF溶液，所述的HF溶液为200:1HF溶液； 优选的动态湿法刻蚀溶剂采用HF与去离子水混合溶剤，该溶剂的刻蚀速率稳定，刻蚀量与时间成正比，刻蚀30S后，残余氧化物的厚度减少5A，刻蚀60S后，残余氧化物的厚度减少 10A。如图6所示，采用本专利技术的方法之后，能够形成稳定的残余氧化物在浮栅101上，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而得到稳定的浮栅擦除性能。尽管本专利技术的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本专利技术的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本专利技术的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本专利技术的保护范围应由所附的权利要求来限定。【权利要求】1.ー种，该方法包含以下步骤: 步骤1、在浮栅(101)上沉积偏移侧墙(102)； 步骤2、对偏移侧墙(102)进行干法刻蚀； 步骤3、再对浮栅(101)进行多晶硅二次刻蚀。2.其特征在于，在步骤2和步骤3之间，增加如下步骤A: 对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度。3.如权利要求1所述的，其特征在于，所述的动态湿法刻蚀采用的溶剂为DHF溶液，或者HF溶液，或者HF与去离子水混合溶剤。4.如权利要求2所述的，其特征在于，优选的动态湿法刻蚀溶剂采用HF与去离子水混合溶剤。5.如权利要求2所述的，其特征在于，所述的DHF溶液为200:1 DHF溶液。6.如权利要求2所述的，其特征在于，所述的HF溶液为200:1HF溶液。【文档编号】H01L21/28GK103531456SQ201210231297【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月5日 优先权日:2012年7月5日 【专利技术者】曹子贵, 宁丹 申请人:上海宏力半导体制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，该方法包含以下步骤：步骤1、在浮栅（101）上沉积偏移侧墙（102）；步骤2、对偏移侧墙（102）进行干法刻蚀；步骤3、再对浮栅（101）进行多晶硅二次刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹子贵，宁丹，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：