【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和与其相隔PMOS区域，其中，所述NMOS区域的半导体衬底表面形成有第一伪栅极结构，位于所述第一伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一源/漏区，所述PMOS区域的半导体衬底表面形成有第二伪栅极结构，位于所述第二伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第二源/漏区，且所述PMOS区域的半导体衬底、第二源/漏区和第二伪栅极结构表面覆盖有第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，形成覆盖所述第一源/漏区表面的第一金属硅化物层；形成第一金属硅化物层后，去除所述第一掩膜层；形成位于所述半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层与所述第一伪栅极结构和第二伪栅极结构表面齐平；刻蚀所述层间介质层，形成暴露出部分所述第二源/漏区表面的开口；通过所述开口在第二源/漏区表面形成第二金属硅化物层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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