离子注入用基板载置部件及离子注入方法技术

本发明专利技术提供一种离子注入用基板载置部件及离子注入方法，其能够防止离子被注入到基板的侧面。根据本发明专利技术的离子注入用基板载置部件（3），通过在注入离子的方向的上游侧开口的凹部（20）内配置基板（4），离子被注入到基板（4）的上表面（4a）即上游侧的表面。并且，从注入离子的方向观察，由周壁部（22）覆盖基板（4）的侧面（4c）的凹部（20）具有与基板（4）相同的形状。即，基板（4）的侧面（4c）遍及整周而被周壁部（22）覆盖。由此，能够防止离子被注入到基板（4）的侧面（4c）。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，其能够防止离子被注入到基板的侧面。根据本专利技术的离子注入用基板载置部件（3），通过在注入离子的方向的上游侧开口的凹部（20）内配置基板（4），离子被注入到基板（4）的上表面（4a）即上游侧的表面。并且，从注入离子的方向观察，由周壁部（22）覆盖基板（4）的侧面（4c）的凹部（20）具有与基板（4）相同的形状。即，基板（4）的侧面（4c）遍及整周而被周壁部（22）覆盖。由此，能够防止离子被注入到基板（4）的侧面（4c）。【专利说明】
本申请主张基于2012年7月2日申请的日本专利申请第2012-148690号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种用于载置被注入离子的基板的。
技术介绍
以往，作为注入离子的方法已知有专利文献I。专利文献I中，将晶片(基板)载置于圆盘(离子注入用基板载置部件)上，通过对晶片的上表面照射离子束来注入离子。由此，离子被注入到晶片的上表面。并且，在晶片上表面的电极的位置设置有掩模，且离子不被注入到由掩模覆盖的电极上。专利文献1:日本特开2002-25932号公报在此，例如在应用于太阳能电池的基板中要求基板侧面绝缘。其原因在于，当为太阳能电池时，侧面的绝缘被破坏会导致发电效率下降。然而，若采用以往的离子注入方法，则不仅基板的上表面，侧面也会被注入离子。由此，产生了导致基板侧面的绝缘被破坏的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决这种问题而完成的，其目的在于提供一种能够防止离子被注入到基板的侧面的。本专利技术所涉及的离子注入用基板载置部件为用于载置被注入离子的基板的离子注入用基板载置部件，其特征在于，具有在注入离子的方向的上游侧开口的凹部，从注入离子的方向观察，凹部具有与基板相同的形状，凹部的周壁部覆盖基板的侧面。根据该离子注入用基板载置部件，能够通过在注入离子的方向的上游侧开口的凹部内配置基板，将离子注入到基板的上游侧的表面。并且，从注入离子的方向观察，由周壁部覆盖了基板的侧面的凹部具有与基板相同的形状。即，基板的侧面遍及整周而被周壁部覆盖。由此，能够防止离子被注入到基板的侧面。并且，在离子注入用基板载置部件中，优选周壁部的高度在基板的厚度以上。由此，离子变得更难以进入周壁部与基板的侧面之间的分界部分，即使周壁部与基板的侧面之间存在微小的间隙，也能够防止离子被注入到基板的侧面。并且，在离子注入用基板载置部件中，优选在凹部的底面沿周壁部形成有槽部。在凹部的底面载置基板的下游侧的表面，周壁部的内表面与基板的侧面对置。因此，由于在凹部的底面与周壁部的内表面之间的内角部配置有基板的下游侧的表面与侧面之间的外角部，因此根据凹部的加工精度，内角部有可能干扰基板的外角部。然而，在凹部的内角部沿周壁部形成有槽部。因此，由于能够将基板的下游侧的表面与侧面之间的外角部放入槽部，因此无需过于提高底面与周壁部的内表面之间的内角部的加工精度。并且，离子注入用基板载置部件优选兼用作输送基板的输送托盘。由此，离子注入用基板载置部件成为同时具有载置基板的功能与输送基板的功能的结构。并且，在离子注入用基板载置部件中，优选在凹部的底面形成有能够插穿用于推出基板的部件的孔部。从注入离子的方向观察，由于凹部具有与基板相同的形状，因此成为很难从凹部取出基板的状态，但能够使部件插穿孔部来推出基板，由此在离子注入后轻松地从凹部取出基板。并且，本专利技术所涉及的离子注入方法为在基板上注入离子的离子注入方法，其特征在于，具备:由预定物体覆盖基板的侧面的工序；及向侧面由物体覆盖的基板上注入所述离子的工序。根据该离子注入方法，由于具有由预定物体覆盖基板的侧面的工序，因此在执行注入离子的工序时，相对于注入离子的方向，基板呈上游侧的表面露出且侧面被物体覆盖的状态。由此，离子只注入到基板的上游侧的表面。由此，能够防止离子被注入到基板的侧面。并且，在离子注入方法中，优选物体具有大于基板的厚度的高度。由此，离子变得更难以进入物体与基板的侧面之间的分界部分，即使在物体与基板的侧面之间存在微小的间隙，也能够防止离子被注入到基板的侧面。并且，在离子注入方法中，优选物体与载置基板的离子注入用基板载置部件是分体的。由此，即使不将离子注入用基板载置部件加工成特别的形状，也能够防止离子被注入到基板的侧面。专利技术效果根据本专利技术，能够防止离子被注入到基板的侧面。【专利附图】【附图说明】图1是用于本专利技术的实施方式的离子注入装置的概要结构图。图2是图1中示出的离子注入装置的输送托盘的放大图。图3是表示本专利技术的实施方式所涉及的离子注入用基板载置部件的图。图4是表示变形例所涉及的离子注入用基板载置部件的图。图5是表示以往的离子注入用基板载置部件的图。图6是表示变形例所涉及的离子注入方法的步骤的图。图中:1_离子注入装置，2-输送托盘，3、100、200_离子注入用基板载置部件，4-基板，20-凹部，21a-底面，22-周壁部(预定物体)，23-槽部，24-孔部，210-预定物体。【具体实施方式】以下，参考附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在【专利附图】【附图说明】中对相同要件附加相同符号并省略重复说明。图1是离子注入装置I的概要结构图。图2是离子注入装置I的输送托盘2的放大图。另外，图2 (b)是沿图2 (a)中示出的II b-1I b线的截面图。如图1及图2所示，离子注入装置I为通过对多个基板4照射离子束17来向各基板4注入离子的装置。离子注入装置I具备纵横排列配置有多个正方形板状的基板4的离子注入用基板载置部件3、载置有离子注入用基板载置部件3的长方形板状的输送托盘2、及用于在轨道上输送输送托盘2、离子注入用基板载置部件3及基板4的输送装置(未图示)。另外，基板4不限于正方形，也可为其他形状(例如，长方形、圆形等)。离子注入装置I为如下所谓内联式离子注入装置:在轨道上连续地或断续地输送多个输送托盘2及离子注入用基板载置部件3，并向配置于各离子注入用基板载置部件3上的多个基板4依次进行离子注入。另外，在输送托盘2上配置有多个基板4，但未限定数量，也可为一个。离子注入装置I具备:工艺腔室6，内部为真空；装载锁定腔室(load lockchamber)7，配置于工艺腔室6的前段而使其内部从大气压变为真空；及卸载锁定腔室(unload lock chamber) 8,配置于工艺腔室6的后段而使其内部从真空变为大气压。另外，每个腔室不限于下述的容积(例如，装载锁定腔室7及卸载锁定腔室8也可容纳多个输送托盘2)。装载锁定腔室7及卸载锁定腔室8是用于将工艺腔室6内部与大气压环境隔离，并使其内部维持在真空状态的腔室。工艺腔室6具有在内部容纳多个输送托盘2的容积。装载锁定腔室7及卸载锁定腔室8分别具有在内部容纳I个输送托盘2的容积。在装载锁定腔室7的入口侧及出口侧设置有第I闸阀IOA及第2闸阀10B。在卸载锁定腔室8的入口侧及出口侧设置有第3闸阀IOC及第4闸阀10D。离子注入装置I具备离子束产生装置16，其产生添加到基板4的掺杂剂的离子束。在工艺腔室6内形成有被离子束17照射的离子束照射区域。接着，参考图3对本实施方式所涉及的离子注入用基板载置部件3的详细结构进行说明。另外，图3中示出在输送托盘2上只载置了相对I个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入用基板载置部件，其用于载置被注入离子的基板，该离子注入用基板载置部件的特征在于，具有在注入所述离子的方向的上游侧开口的凹部，从注入所述离子的方向观察，所述凹部具有与所述基板相同的形状，所述凹部的周壁部覆盖所述基板的侧面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：光峰祐规，村上喜信，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：