芯片电子部件的电特性的连续检查方法技术

本发明专利技术涉及芯片电子部件的电特性的连续检查方法。提供一种在不伴随检查工序的延长的情况下能够抑制在芯片电子部件的电特性的连续检查方法的实施时发现的检查精度的降低的方法。是在使用在表面同心圆状地形成有三列以上的透孔的列的芯片电子部件输送圆盘的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中加入了以下操作的方法：在对在圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个内收容的芯片电子部件中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间对与其它一个或者更多的芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流，由此，除去在该电极端子的前端生成的氧化物被膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用自动化的芯片电子部件检查分选装置高速地连续地对大量的芯片电子部件的电特性进行检查的方法。
技术介绍
伴随着便携式电话、智能电话、液晶电视机、电子游戏机等小型电制品的生产量的增加，装入到这样的电制品中的微小的芯片电子部件的生产量显著增加。芯片电子部件的大部分由主体部、以及主体部的相向的两端面的每一个所具备的电极形成。作为这样的结构的芯片电子部件的例子，能够举出芯片电容器(也被称为芯片电容)、芯片电阻器(包含芯片变阻器)和芯片电感。近年来，响应于装入芯片电子部件的电制品的进一步小型化以及装入到电制品中的芯片电子部件的数量的增加，芯片电子部件变得极其小。例如，关于芯片电容器，近年来使用极其小的尺寸(例如，被称为0402芯片的0.2mm X 0.2mm X 0.4mm的尺寸)的电容器。这样的微小的芯片电子部件通过大量生产以一批量为几万至几十万个这样的单位而被生产。为了降低在装入有芯片电子部件的电制品中起因于芯片电子部件的缺陷的电制品的废品率，通常对大量制造出的芯片电子部件进行全数检查。例如，关于芯片电容器，对其全数进行静电电容、泄露电流等电特性的检查。大量的芯片电子部件的电特性的检查需要高速地进行，作为用于自动地进行该高速的检查的装置，近年来，通常使用具备形成有许多透孔的输送圆盘(芯片电子部件临时保持板)的芯片电子部件的电特性的检查和分选用的自动化装置(即，芯片电子部件检查分选装置)。在该输送圆盘中，通常以沿着圆周排列成三列以上的多个列的状态形成暂时收容保持检查对象的芯片电子部件的许多透孔。而且，在该芯片电子部件检查分选装置的使用时，在使芯片电子部件暂时收容保持于处于旋转状态的输送圆盘的透孔之后，使在保持于该输送圆盘的芯片电子部件中沿着该输送圆盘的旋转路径附设的一对电极端子(检查用触头)与芯片电子部件的各电极接触而对该芯片电子部件的规定的电特性进行测定，接着，基于该测定结果，实施使芯片电子部件从输送圆盘的透孔以收容于规定的容器的方式排出而分选(或者分类)的作业。S卩，自动化的最近的芯片电子部件的检查分选装置能够称为包含以下部分的芯片电子部件检查分选装置:基台、被基台以能旋转的方式轴支承的芯片电子部件输送圆盘(其中，在该芯片电子部件输送圆盘沿着圆周形成有三列以上的能够暂时收容在相对的端面的每一个具有电极的芯片电子部件的透孔)、以及沿着该输送圆盘的旋转路径依次设置的使芯片电子部件供给收容于该输送圆盘的透孔的芯片电子部件供给收容部(供给收容区域)、进行芯片电子部件的电特性的检查的芯片电子部件电特性检查部(检查区域)、以及基于检查结果对检查完毕的芯片电子部件进行分类的芯片电子部件分类部(分类区域)。例如，在进行芯片电容器的静电电容的检查的情况下，在电特性检查部中，从芯片电子部件检查分选装置所具备的检查器(电特性测定装置)经由检查用电极端子对芯片电容器施加具有规定的频率的检查用电压。然后，使用检查器对由于该检查用电压的施加而在芯片电容器中产生的电流的电流值进行检测，基于该检测电流值和检查用电压的电压值，进行检查对象的芯片电容器的静电电容的检查。作为芯片电子部件检查分选装置的例子，能够举出专利文献I所记载的装置。即，在专利文献I中记载了包括以下工序的连续地检查芯片电子部件的电特性的方法的改良方法，使用上述的结构的芯片电子部件检查分选装置，使分别基于同一标准以示出规定的相同的电特性的方式制造的检查对象的芯片电子部件以彼此接近地配置的状态收容保持于输送圆盘的透孔，接着，将检查器与芯片电子部件的每一个电连接，然后从该检查器对各个芯片电子部件施加检查用电压，利用检查器对由于该检查用电压的施加而在各芯片电子部件中产生的电流值进行检测。另一方面，在专利文献2中存在以下的公开:为了除去在电子部件的电阻测定时引起该电阻测定的精度的降低的在电子部件的电极面生成的氧化被膜等高电阻的杂质，通过直流电流对该氧化被膜施加电压的方法是有效的。现有技术文献专利文献 专利文献 1:W02014/010623A1 专利文献2:日本特开2006 - 30131号公报。专利技术要解决的课题 在使用具有上述的各种结构的芯片电子部件检查分选装置实施芯片电子部件的检查、分类操作时，首先，使芯片电子部件输送圆盘(以下，仅称为输送圆盘)间歇性地旋转，在该输送圆盘的旋转停止的期间，在芯片电子部件供给收容部中，在该输送圆盘的各列的透孔收容芯片电子部件，接着，通过该输送圆盘的间歇性的旋转，使收容于各列的透孔的芯片电子部件移动至电特性检查部，在该电特性检查部中，使电连接于电特性测定装置(检查器)的电极端子与收容于各列的透孔的芯片电子部件的每一个接触，在该接触状态下自动地进行依次对收容于在该圆盘的半径方向上相邻的透孔的芯片电子部件的电特性进行测定的操作，之后，重复实施在该输送圆盘的旋转和停止状态下的向透孔收容芯片电子部件以及电特性的测定的操作。本专利技术的专利技术人在进行使用到此为止叙述的那样的检查分选装置的的研究时，注意到当经过长时间持续进行这样的检查时有时会出现电特性的测定值的精度下降，进行了用于查明其原因的研究。然后，其研究的结果是，本专利技术人发现:关于该电特性的测定值的精度的下降，在为了测定而与庞大数量的芯片电子部件高速地重复地接触的电极端子(探针)的前端生成氧化物被膜而发生由于该氧化物被膜的生成而产生的电极端子的前端与芯片电子部件的电极面的接触不良的情况成为原因。在上述的专利文献2中公开了以下情况:通常，为了除去在电子部件的电极面生成的氧化物被膜，能够利用通过直流电流对该氧化物被膜施加电压的方法。因此，本专利技术人研究了将在电极端子(探针)的前端生成的氧化物被膜通过直流电流对该电极端子施加电压来除去的方法。即，是在检查对象的芯片电子部件的电特性的测定之前或者测定之后、添加通过以使电极端子与芯片电子部件的电极面接触的状态施加电压来除去电极端子的前端的氧化物被膜的工序的改良方法的研究。而且，本专利技术人确认其研究结果是，能够通过添加用于除去这样的电极端子的前端的氧化物被膜的工序来除去在期望的电极端子的前端生成的氧化物被膜。然而，同时还判明了对于将上述的氧化物被膜的除去工序组入到的工序中存在问题。即，由于使用上述那样的检查分选装置的是以高速地实施庞大数量的芯片电子部件的检查为目的而开发出的方法，所以，对该检查作业追加上述的电极端子的氧化物被膜的除去工序必然引起检查所需的时间的延长，因此，对芯片电子部件的自动化的检查的工业性实施是不利的。
技术实现思路
因此，本专利技术人进一步加以研究的结果是，发现:在对与收容于在输送圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个的芯片电子部件处于接触状态的电极端子中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间，对与其它一个或者更多的芯片电子部件(为了电特性的测定而待机的芯片电子部件)接触的电极端子施加直流电流，进行该电极端子的前端的氧化物被膜的除去，由此，在不会引起芯片电子部件的检查作业时间的延长的情况下对组入电极端子的前端的氧化物被膜的除去工序。本专利技术是基于这样的由本专利技术人发现的新的见解来完成的专利技术。因此，本专利技术是一种，所述连续检查方法包括:使以在表面同心圆状地形成有至少三当前第1页1 2 3 4&nbs本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电子部件的电特性的连续检查方法，所述连续检查方法包括：使以在表面同心圆状地形成有至少三列的透孔的列的圆盘能够间歇性地进行旋转的方式在同心圆的中心被基台轴支承而成的芯片电子部件输送圆盘间歇性地旋转，在该输送圆盘的旋转停止的期间，在芯片电子部件供给收容部中，将芯片电子部件收容于该输送圆盘的各列的透孔，接着，通过该输送圆盘的间歇性的旋转，使收容于各列的透孔的芯片电子部件移动至电特性检查部，在该电特性检查部中，在使电连接于电特性测定装置的电极端子与收容于各列的透孔的芯片电子部件的每一个接触之后，在该接触状态下依次对在该圆盘的半径方向上相邻的透孔内收容的芯片电子部件的电特性进行测定，之后，重复实施在该输送圆盘的旋转和停止状态下的向透孔的芯片电子部件的收容以及电特性的测定，所述连续检查方法的特征在于，在对在该圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个内收容的芯片电子部件中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间对与其它一个或者更多的芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流，由此，除去在该电极端子的前端生成的氧化物被膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野中智，藤田清久，
申请(专利权)人：慧萌高新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP