本发明专利技术提供一种制造容易，而且不会使价格提高，防止在绝缘基板中产生裂缝、或破损的芯片电阻器等芯片状电气部件。一对表面电极２１、２３形成为，随着从电阻层１３朝向位于一对表面电极２１、２３排列的方向上的绝缘基板２９的一对端部３０，其厚度变厚。在表面电极２１、２３与绝缘保护层１５之间形成了镀敷积聚部Ｓ。在形成１层以上的镀敷层３３时，镀敷金属积聚于镀敷积聚部Ｓ，可以通过镀敷层３３某种程度上减少形成于锡焊电极部２１、２３、２７以及３３与绝缘保护层１５之间的阶差。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在作为尺寸比较大的芯片状电气部件一种的芯片电阻器中，电阻体等利用厚膜来 形成，锡焊用电极全部也是利用厚膜来形成。另外，在尺寸比较小的电阻器中，也存在仅利 用薄膜形成技术形成了电极以及电阻体的情况。另外，在尺寸比较小的电阻器中，存在通过 厚膜与薄膜的组合形成了锡焊用电极的情况。在日本特开昭63-172401号公报(专利文献1)记载的芯片电阻器的制造方法中， 为了得到各个芯片基板，使用可切断分离的取得多个用的氧化铝基板。最初，在氧化铝基板 的表面中在长度方向上隔开一定的间隔通过丝网印刷等形成由Ru02构成的多个厚膜电阻 体层。接下来，以连续地覆盖多个厚膜电阻体层的两端部、氧化铝基板的两侧面以及氧化铝 基板的背面的两端部的方式，形成多个C字型的侧面电极。在该侧面电极的形成中，利用了 溅射、离子电镀等薄膜形成技术。进而，以分别单独地覆盖各电阻体的整个表面的方式，形 成玻璃涂层。该玻璃涂层形成为修整电阻值时的保护膜。在形成了玻璃涂层之后，进行激 光修整。在修整作业结束之后，在各玻璃涂层的表面中分别单独地形成由玻璃等构成的保 护涂层。之后，将氧化铝基板切断成各个芯片基板，完成芯片电阻器的制造。根据该以往的 方法，可以减小电极的厚度，所以可以实现芯片电阻器的小型化。另外，在日本特开平11-307304号公报(专利文献2)中，公开了以下芯片电阻器 的结构及其制造方法在陶瓷基板的表面中利用厚膜形成一对表面电极，利用溅射等薄膜 形成技术在一对表面电极之上形成基底电极层，在基底电极层之上进一步形成了镀敷层。专利文献1 日本特开昭63-172401号公报专利文献2 日本特开平11-307304号公报
技术实现思路
但是，部件的尺寸越小，即使在如专利文献2记载的芯片电阻器(芯片状电气部 件)那样以厚膜形成了表面电极的情况下，在锡焊电极部与外敷层之间，也形成比较大的 阶差。由于存在该阶差，因在通过真空吸引喷嘴吸引了部件时施加到绝缘基板的力的缘故， 在最坏的情况下，产生绝缘基板出现裂缝、或者绝缘基板破损的问题。为了减小这样的断 层，虽然考虑在表面电极上形成追加层，但如果部件的尺寸变小，则产生难以制造，且部件 的价格变高的问题。本专利技术的目的在于，提供一种解决了所述问题的芯片状电气部件。本专利技术的具体的目的在于，提供一种制造容易，而且不会使价格提高，防止在绝缘 基板中产生裂缝、或破损的芯片电阻器等芯片状电气部件。本专利技术作为对象的芯片状电气部件使用陶瓷制的绝缘基板。而且，在绝缘基板的 基板表面的两端中设置了金属釉类的一对表面电极。金属釉类的一对表面电极可以例如通过丝网印刷来印刷在玻璃中混合Ag等导电性粉末而成的糊而形成。而且，芯片状电气部件 具有与一对表面电极电连接并且形成在基板表面上的电气元件层。如果芯片状电气部件是 芯片电阻器，则电气元件层是电阻层。如果是电感器，则电气元件层是导体层。芯片状电气 部件也可以是电容器等。另外，芯片状电气部件具有覆盖电气元件层的全部和与电气元件 层邻接的一对表面电极的一部分的由电气绝缘材料构成的绝缘保护层。进而，芯片状电气 部件具备至少覆盖未由绝缘保护层覆盖的一对表面电极的薄膜导电层。薄膜导电层包括1 层以上的镀敷层。另外，由表面电极和薄膜导电层构成了锡焊电极部。 在本专利技术中，一对表面电极形成为随着从电气元件层朝向位于一对表面电极排 列的方向上的绝缘基板的一对端部，其厚度变厚。如果使用这样的形状的表面电极，则在表 面电极与绝缘保护层之间形成镀敷积聚部。因此，在形成1层以上的镀敷层时，镀敷金属 积聚于镀敷积聚部，可以通过镀敷层某种程度上减小形成于锡焊电极部与保护层之间的阶 差。因此，无需设置用于减少阶差的追加层，而可以减少阶差。镀敷层的数量越多，阶差越 小。薄膜导电层优选包括通过溅射或者蒸镀形成、并且覆盖未由绝缘保护层覆盖的 表面电极的基底导电层；以及在基底导电层上形成的1层以上的镀敷层。这样，仅在形成了 基底导电层之后可靠地形成镀敷层。另外，基底导电层也可以具备覆盖与表面电极邻接的绝缘基板的端部的侧面上的 基底导电层延长部。在该情况下，1层以上的镀敷层具备覆盖基底导电层延长部的镀敷层延 长部。镀敷层延长部由于构成绝缘基板的侧面电极，所以锡焊强度变高。基底导电层延长部的一部分也可以进一步在绝缘基板的与基板表面相对向的基 板背面之上延伸。即使在该情况下，镀敷层延长部的一部分也在基板背面之上延伸的基底 导电层延长部之上延伸。其结果，形成在基板背面侧的镀敷层延长部成为绝缘基板的背面 电极，所以可以进一步提高锡焊强度。另外，基底导电层优选包含Cu、Ni、Cr。另外，1层以上的镀敷层优选是在Ni镀敷 层之上形成了 Sn镀敷层的2层结构。如果是这样的结构，则可以可靠地形成基底导电层以 及镀敷层。在由本专利技术的芯片状电气部件构成具体的芯片电阻器的情况下，由电阻层构成电 气元件层即可。而且，绝缘保护层优选由覆盖电阻层的玻璃层和覆盖玻璃层的绝缘树脂层 构成。这样可以防止在修整了电阻层之后电阻层的电阻值变动。本专利技术的制造芯片状电气部件的方法具备以下的步骤。首先，在最初的步骤中，在 陶瓷制的大型绝缘基板的基板表面上隔开规定的间隔使用金属釉类的导电性糊通过丝网 印刷，以构成纵电极层列以及横电极层列的方式，形成多个电极层。在接下来的步骤中，以 跨越横电极层列中包含的多个电极层的相邻的一对所述电极层的方式，在大型绝缘基板的 基板表面上，通过印刷形成电气元件层。在接下来的步骤中，以覆盖电气元件层的全部和与 电气元件层邻接的一对电极层的一部分的方式，通过印刷使用电气绝缘材料形成绝缘保护 层。在接下来的步骤中，为了对纵电极层列中包含的多个电极层在中央部的位置处进行二 分割并在电气元件层的两端中形成一对表面电极，而在大型绝缘基板中形成多个狭缝。在 接下来的步骤中，通过溅射或者蒸镀形成覆盖未由绝缘保护层覆盖的一对表面电极以及狭 缝的内面的基底导电层。然后，在接下来的步骤中，在形成了基底导电层之后，对具备一对表面电极、电气元件层以及绝缘保护层的芯片进行分离。然后，在最后的步骤中，在分离的 芯片的基底导电层之上形成1层以上的镀敷层。通过丝网印刷形成的电极层成为中央部的 高度尺寸最高的圆顶形状或者向上平滑地凸起的形状。如果采用在中央部对这样的电极层 进行二分割的方法，则可以简单地形成随着朝向绝缘基板的一对端部使一对表面电极的厚 度变厚的形状。附图说明图1是概略地示出作为通过本专利技术的芯片状电气部件的制造方法制造的芯片状 电气部件一种的芯片电阻器的结构的剖面图。图2的(A)至(F)是示出图1的实施方式的芯片电阻器的制造方法中的多个工序 的工序图。图3的(A)以及(B)是图2 (D)的IIIA-IIIA线放大剖面图以及图2 (E)的 ΙΠΒ-ΙΠΒ线放大剖面图。图4是概略地示出本专利技术的另一实施方式的结构的剖面图。 具体实施例方式以下，参照附图，对本专利技术的芯片状电气部件的实施方式进行详细说明。图1是概 略地示出作为通过本专利技术的芯片状电气部件的制造方法制造的芯片状电气部件一种的芯 片电阻器1的结构的剖面图。图1是为了易于理解而示意地示出的剖面图，各部的尺寸比、 各层的厚度以及形状与实际的部件不同。图2(A)至(F)是示出图本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片状电气部件，包括： 陶瓷制的绝缘基板； 金属釉类的一对表面电极，被设置在所述绝缘基板的基板表面的两端； 电气元件层，与所述一对表面电极电连接并且在所述基板表面之上形成； 由电气绝缘材料构成的绝缘保护层，该绝缘保护层覆盖所述电气元件层的全部和与所述电气元件层邻接的所述一对表面电极的一部分；以及 薄膜导电层，至少覆盖未由所述绝缘保护层覆盖的所述一对表面电极， 所述薄膜导电层包括１层以上的镀敷层， 随着从所述电气元件层朝向位于所述一对表面电极排列的方向上的所述绝缘基板的一对端部， 所述一对表面电极的厚度变厚， 所述薄膜导电层包括：通过溅射或者蒸镀形成、且覆盖未由所述绝缘保护层覆盖的所述表面电极的基底导电层；以及 在所述基底导电层之上形成的所述１层以上的镀敷层， 所述基底导电层具备基底导电层延长部，该基底导电层延长部覆盖与所述表面电极邻接的所述绝缘基板的所述端部的侧面之上，所述１层以上的镀敷层具备覆盖所述基底导电层延长部的镀敷层延长部， 所述基底导电层延长部的一部分进一步在所述绝缘基板的与所述基板表面相对向的基板背面之上延伸，所述镀敷层延长部的一部分也在所述基板背面之上延伸的所述基底导电层延长部之上延伸。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹内胜己，野村丰，黑川宽幸，
申请(专利权)人：北陆电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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