半导体装置的制造方法以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明专利技术的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明专利技术还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。更详细地说，涉及一种适用于显示装置的半导体装置的制造方法以及半导体装置。
技术介绍
半导体装置是具备利用半导体的电气特性的半导体设备等的电子装置，广泛应 用于例如音频设备、通信设备、计算机、家电设备等中。其中，具备具有MOS(Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体)结构的电路元件、薄膜晶体管(TFT)等的半导体装置， 能够在液晶显示器等中实现显示装置的高精细化和高速运动图像显示。在这种系统液晶中，伴随着低功耗化、图像显示高精细化以及高速化的要求，还要 求外围驱动器电路的省空间化。具体地说，对外围驱动器电路要求亚微米级的设计规则、即 集成电路(IC)水平的细微的图案精度。另外，从提高半导体层的载流子迁移率的观点出 发，也要求半导体元件的细微化。然而，在液晶显示装置等显示装置中大多使用玻璃基板、石英基板，但是在这些基 板上难以直接形成亚微米级的高性能的半导体元件。因此，公开了如下在玻璃基板上形成 薄膜晶体管的方法在半导体基板上形成TFT之后，分离该TFT并转移到玻璃基板上(例如 参照专利文献1。)。根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于：该制造方法按顺序包括如下工序：第一绝缘图案膜形成工序，在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使该第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成第一绝缘图案膜；平坦化膜形成工序，形成第二绝缘膜，对该第二绝缘膜进行研磨来形成平坦化膜；剥离层形成工序，隔着该平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质形成剥离层；贴合工序，使该半导体基板与该表面具有绝缘性的基板隔着平坦化膜贴合；以及分离工序，从剥离层分离该半导体基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-12-18 2007-326420一种半导体装置的制造方法，是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于该制造方法按顺序包括如下工序第一绝缘图案膜形成工序，在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使该第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成第一绝缘图案膜；平坦化膜形成工序，形成第二绝缘膜，对该第二绝缘膜进行研磨来形成平坦化膜；剥离层形成工序，隔着该平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质形成剥离层；贴合工序，使该半导体基板与该表面具有绝缘性的基板隔着平坦化膜贴合；以及分离工序，从剥离层分离该半导体基板。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于上述第一绝缘图案膜形成工序是在与导电图案膜重叠的区域形成第一绝缘图案膜的 工序，在该第一绝缘图案膜中，与导电图案膜重叠的区域的膜厚小于未配置导电图案膜的区 域的膜厚。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第一绝缘图案膜中，与导电图案膜重叠的区域的膜厚为未配置该导电图案膜的 区域的膜厚的10%以下。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述第一绝缘图案膜仅形成在未配置导电图案膜的区域。5.根据权利要求1 4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 形成在未配置上述导电图案膜的区域的第一绝缘图案膜形成在从导电图案膜的边缘起3μπι以内的区域。6.根据权利要求1 5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述导电图案膜包括大宽度图案膜和小宽度图案膜，上述第一绝缘图案膜形成工序是除去与大宽度图案膜重叠的区域的第一绝缘膜的工序。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第一绝缘图案膜形成工序中，与大宽度图案膜的边缘附近重叠的区域的第一绝 缘图案膜形成从导电图案膜侧向平坦化膜侧隆起的凸部。8.根据权利要求1 5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述平坦化膜形成工序包括在形成第二绝缘膜后对该第二绝缘膜进行研磨之前使第二绝缘膜图案化的第二绝缘图案膜形成工序。9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述导电图案膜包括大宽度图案膜和小宽度图案膜，在上述第二绝缘图案膜形成工序中，除去与大宽度图案膜重叠的区域的第二绝缘膜。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第二绝缘图案膜形成工序中，与大宽度图案膜的边缘附近重叠的区域的第二绝 缘图案膜形成从导电图案膜侧向平坦化膜侧隆起的凸部。11.根据权利要求1 10中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述研磨是化学机械研磨。12.根据权利要求1 11中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述剥离用物质是氢离子和惰性气体离子中的至少一种。13.根据权利要求1 12中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 上述半导体芯片的表面包括氧化硅。14.一种半导体装置的制造方法，是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案 膜的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹井美智子，高藤裕，福岛康守，富安一秀，史蒂芬罗伊德鲁斯，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]