具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻制造技术

本实用新型专利技术是有关于一种具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，该晶片电阻包含一基板、两形成于基板两侧的银电极、一形成于基板上并叠接两侧银电极的电阻，一覆盖该电阻的保护层以及一形成于基板上表面而覆盖银电极裸露部分的抗硫化材，藉由抗硫化材可确保银电极不会与外在环境的硫化物化合变成硫化银，避免与电阻交界面接触不良的情形发生，进而提升电阻在高硫化可靠度测试的产品稳定性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶片电阻及晶片排阻，特别是涉及一种具抗硫化电极结构的 晶片电阻及晶片排阻。
技术介绍
既有晶片电阻主要是于陶瓷基板两侧印上电极，各电极皆延伸至基板的上、下表 面，并接着在基板上表面印刷一电阻分别连接两侧的电极，最后再于电阻上覆盖一保护层 而构成晶片电阻，其中电极一般采用银电极，主要原因在于银的电阻率最低，是常温下导电 性最佳的金属材料。然而由于银的金属特性使其易与外在环境的硫化物化合变成硫化银而逐渐延伸 至与电阻的接触部分，银电极容易受到硫化侵蚀将造成其与电阻的交界面接触不良或产生 断路，从而影响晶片电阻在可靠度测试的产品稳定性。由此可见，上述现有的晶片电阻及晶片排阻在结构与使用上，显然仍存在有不便 与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求 解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够 解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的具抗硫化 电极结构的晶片电阻及晶片排阻，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进 的目标。有鉴于上述现有的晶片电阻及晶片排阻存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品 设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创 设一种新型的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，能够改进一般现有的晶片电阻及 晶片排阻，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于 创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本技术的主要目的在于，克服现有的晶片电阻及晶片排阻存在的缺陷，而提 供一种新型的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，所要解决的技术问题是使其藉由 一抗硫化金属层达到保护银电极不会与外界硫化物产生化合反应，非常适于实用。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实 用新型提出的一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其包含一基板；两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位于基 板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端分别延伸叠接于基板两侧的银电极上 部；一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及两抗硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。本技术的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实 现。前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其中所述的电阻为抗硫化电阻，该两抗硫 化材为该电阻两端的延伸部分。前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其中所述的两抗硫化材为抗硫化电极。前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其中所述的两抗硫化材为抗硫化电阻。前述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其进一步包含两第一金属分别覆盖基板两 侧的抗硫化材及银电极，以及两第二金属分别覆盖该两第一金属。本技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新 型提出的一种具抗硫化电极结构的晶片排阻，其包含一基板；多个电阻，形成于该基板上表面，该些电阻两端分别延伸至基板两侧；多个银电极，形成于该基板两侧而分别连接各电阻的一端，各银电极包含位于基 板上表面而与电阻叠接的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一保护层，形成于基板上而覆盖于该些电阻上；及多个抗硫化材，形成于基板上而覆盖各银电极上部的裸露部分。本技术的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实 现。前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其中所述的该些电阻为抗硫化电阻，该些 抗硫化材分别为该些电阻两端的延伸部分。前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其中所述的该些抗硫化材为抗硫化电极。前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其中所述的该些抗硫化材为抗硫化电阻。前述的具抗硫化电极结构的晶片排阻，其进一步包含多个第一金属分别覆盖基板 两侧的抗硫化材及银电极，以及包含多个第二金属分别覆盖该些第一金属。本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。经由以上可知，为了达 到上述目的，本技术提供了一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其藉由一抗硫化金属 层达到保护银电极不会与外界硫化物产生化合反应。令该具抗硫化电极结构的晶片电阻包 含一基板；两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位 于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端 分别延伸叠接于基板两侧的银电极上部；一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及两抗 硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。由于银电极上部覆盖了一 层抗硫化材作为隔绝作用，可确保银电极不会与外在环境的硫化物产生化合反应而变成硫 化银，避免了银电极与电阻交界面接触不良的情形发生，进而可提升晶片电阻在高硫化可 靠度测试的产品稳定性。本技术提供一种具抗硫化电极结构的晶片排阻，其包含一基板；多个电阻， 形成于该基板上表面，该些电阻两端分别延伸至基板两侧；多个银电极，形成于该基板两侧 而分别连接各电阻的一端，各银电极包含位于基板上表面而与电阻叠接的上部、位于基板 侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一保护层，形成于基板上而覆盖于该些电阻上；及多个抗硫化材，形成于基板上而覆盖各银电极上部的裸露部分。借由上述技术方案，本技术具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻至少具 有下列优点及有益效果本技术提供了一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，本实用新 型藉由在银电极上覆盖一层抗硫化材，可确保与电阻连接的银电极部分不会与外在环境的 硫化物化合变成硫化银，避免与电阻交界面接触不良的情形发生，进而提升电阻在高硫化 可靠度测试的产品稳定性。综上所述，本技术是有关于一种具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻， 该晶片电阻包含一基板、两形成于基板两侧的银电极、一形成于基板上并叠接两侧银电极 的电阻，一覆盖该电阻的保护层以及一形成于基板上表面而覆盖银电极裸露部分的抗硫化 材，藉由抗硫化材可确保银电极不会与外在环境的硫化物化合变成硫化银，避免与电阻交 界面接触不良的情形发生，进而提升电阻在高硫化可靠度测试的产品稳定性。本技术 在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技 术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征 和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1是本技术一较佳实施例的剖视图。图2是本技术另一较佳实施例的剖视图。10:基板11a，11b，Ilc 银电极12:电阻13:保护层14 抗硫化材15 第一金属16 第二金属具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下 结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排 阻其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点及功效，在以下配合参考图式的较 佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。为了方便说明，在以下的实施例中，相同的元件以 相同的编号表示。请参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其包含：一基板；两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端分别延伸叠接于基板两侧的银电极上部；一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及两抗硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。

【技术特征摘要】
一种具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其包含一基板；两银电极，分别形成于该基板两侧，各银电极包含位于基板上表面的上部、位于基板侧面的侧部以及位于基板下表面的下部；一电阻，形成于该基板上表面，该电阻两端分别延伸叠接于基板两侧的银电极上部；一保护层，形成于基板上而覆盖该电阻；及两抗硫化材，分别形成于基板两侧而覆盖各银电极上部的裸露部分。2.根据权利要求1所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其中所述的电阻 为抗硫化电阻，该两抗硫化材为该电阻两端的延伸部分。3.根据权利要求1所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其中所述的两抗 硫化材为抗硫化电极。4.根据权利要求1所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征在于其中所述的两抗 硫化材为抗硫化电阻。5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的具抗硫化电极结构的晶片电阻，其特征 在于其进一步包含两第一金属分别覆盖基板两侧的抗硫化材及银电极，以及两第二金属分 别覆盖该两第一金属。6.一种具抗硫化电极结构的晶片排阻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊雄，
申请(专利权)人：华新科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71