【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电阻器，特别涉及一种低电感晶片型电阻器。
技术介绍
现有的晶片型电阻器，如图1所示，包括一块以氧化铝陶土材料、氮化铝材料或是蓝宝石玻璃制成的绝缘基板1，基板上规划出预定数目相互垂直排列或水平排列的多数矩形区块11、12，每一区块11、12均具有相同的长与宽，基板1经过清洗干净后，以喷溅或真空蒸散方式于基板1上形成电阻层，然后，利用微影技术在电阻层上形成成对电极21、22，再经过形成金属层、于金属层上形成光感抗蚀层、置光罩、侵蚀金属层等步骤，形成在每个成对电极之间的电阻部份23。基于电阻值(R)＝电阻系数(ρ)×[长度(L)/宽度(W)]的公式，一般多以在电阻部份23上设置修正沟槽使电流路径延长而提高电阻值，实施的方式有，如图2所示，是在电阻部份23表面上以雷射切割出与轴方向上相互垂直的两个水平修整沟槽24、25，藉由二条水平修整沟槽24、25同方向间隔设置，使电流的流通路径因受到修整沟槽24、25的影响而延长(即长度L增加)，由此达到提高电阻值的目的。或，如图3所示，则是利用将两个水平修整沟槽24’、25’，分别从电阻部份的左侧及右侧向内延伸切割，...
【技术保护点】
一种低电感晶片型电阻器，具有至少一对的第一电极和第二电极，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部份，其特征在于：在所述电阻本体部份表面，设有电阻值修整沟槽。
【技术特征摘要】
1.一种低电感晶片型电阻器，具有至少一对的第一电极和第二电极，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部份，其特征在于在所述电阻本体部份表面，设有电阻值修整沟槽。2.根据权利要求1所述的低电感晶片型电阻器，其特征在于该电阻值修整沟槽，包括至少一条与电阻本体部份轴方向相互平行的直线型沟槽，且该直线型...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑原辉，
申请(专利权)人：均钰科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]
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