低阻值芯片电阻器的制程及其结构制造技术

一种低阻值芯片电阻器，包括有一基板、一对导电层、一电阻层、一电阻调节修整槽、以及形成在该电阻层及电阻调节修整槽上的绝缘保护层。在制作该低阻值芯片电阻器时是在一制备的基板上至少形成一对导电层，该基板连同导电层予以烧成后，在该基板的表面介于该导电层之间形成一电阻层，并予烧成，以及在该电阻层形成有一电阻调节修整槽，以修整该电阻器的阻抗，最后在该电阻层及电阻调节修整槽上形成一绝缘保护层。本发明专利技术克服了现有技术的缺陷，达到降低雷射修整功率、降低产品受热产生的阻抗变化、可量产化使用的有效制程、降低修整后阻抗精度变异等效果。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片电阻器的制程及结构，特别是关于低阻值芯片电阻器的制程及其结构。
技术介绍
芯片电阻器已广泛使用在各种电子设备、仪器设备及通讯设备中。芯片电阻器大致分为厚膜芯片电阻器及薄膜芯片电阻器两种型态，其中该厚膜芯片电阻器的电极及电阻层是通过印刷(Printing)或烧成(Baking)的技术予以制作，而薄膜芯片电阻器的电极及电阻层是藉由溅镀(Sputtering)的技术予以制作。在典型的芯片电阻器制程中(参阅图1所示)，其主要是在一基板1的下表面设有一对背面导电层21、22，以及在该基板1的上表面形成一对表面导电层31、32。在完成该背面导电层21、22及表面导电层31、32之后，予以烧成，再于该基板1的表面上印刷形成一电阻层4，并再予烧成。该电阻层4的两端连接于表面导电层31、32。在完成该电阻层4的烧成之后，即在该电阻层4上再印刷形成一第一绝缘保护层61，并进行烧成。例如在中国台湾专利技术专利公告编号第436820号中所揭露的片形电阻器及其制造方法中，即属此类技术。而在前述的芯片电阻器制作技术中，为了要达到调整该芯片电阻器的电阻值的目的，故会在完成该电阻层4及第一绝缘保护层61之后，以雷射修整的方式在该电阻层4及第一绝缘保护层61的适当区段处形成一电阻调节修整槽5。最后，再于该第一绝缘保护层61上再印刷形成一第二绝缘保护层62。在完成上述制程后，在该芯片电阻器的两端部再形成一导电层71、一镍层72、一锡层73。例如在中国台湾专利技术专利公告编号第394962号中所揭露的芯片电阻器的技术中，即是以雷射修整的方式来进行芯片电阻器的电阻调整，其是在基板上形成电阻层与第一绝缘保护层之后，以激光束照射该电阻层与第一绝缘保护层以形成电阻调节修整槽于该电阻层与第一绝缘保护层内。又例如在中国台湾专利技术专利公告编号第344826号中所揭露的芯片电阻器的技术中，亦是在基板上形成电阻层与第一绝缘保护层之后，在该电阻层与第一绝缘保护层中形成带状微调沟于该电阻层与第一绝缘保护层。然而，在采用上述公知的技术时，由于电阻调节修整槽是在完成该电阻层及第一绝缘保护层之后，再以雷射光集束的方式在该电阻层及第一绝缘保护层的适当区段处形成一电阻调节修整槽，故需选用具有较高功率的雷射光，如此将造成产业利用时的限制。再者，该形成的电阻调节修整槽是在该电阻层及第一绝缘保护层中，故其较容易会有修整后阻抗精度变异的问题，且当该芯片电阻器在实际应用时，较容易有受热产生阻抗变化的状况。这些缺失对于产业的利用及产制出的芯片电阻器品质而言，皆亟待改善。
技术实现思路
本专利技术所欲解决的技术问题是提供一种低阻值芯片电阻器的结构，藉由改进该芯片电阻器的电阻层的电阻调节修整槽结构，使修整后的阻抗精度得以改善及控制，且使得该芯片电阻器在实际应用时，较不会有受热产生阻抗变化的缺失。本专利技术要解决的另一技术问题是提供一种低阻值芯片电阻器的制程，其藉由制程的改进，使得在实际的芯片电阻生产过程中，可选用具有较低功率的雷射光集束形成该芯片电阻器的电阻调节修整槽。为此，本专利技术提出一种低阻值芯片电阻器的制程，包括下列步骤(a)制备一基板；(b)在该基板的至少一表面形成一对导电层； (c)将该基板连同导电层予以烧成；(d)该基板的表面介于该导电层之间形成一电阻层，并予烧成；(e)在该电阻层形成有一电阻调节修整槽，以修整该电阻器的阻抗；(f)在该电阻层及电阻调节修整槽上形成一绝缘保护层。此外，本专利技术还提出一种低阻值芯片电阻器的结构，包括一基板；一对导电层，形成在该基板的至少一表面上；一电阻层，形成在该基板及导电层的表面上，该电阻层的两端分别电连接于该导电层；一电阻调节修整槽，形成在该电阻层位在该两个导电层之间的区段；一绝缘保护层，覆设在该电阻层及电阻调节修整槽上。本专利技术的特点和优点如下本专利技术的低阻值芯片电阻器包括有一基板、一对导电层、一电阻层、一电阻调节修整槽、以及形成在该电阻层及电阻调节修整槽上的绝缘保护层。本专利技术在制作该低阻值芯片电阻器时，首先在一制备的基板上至少形成一对导电层，该基板连同导电层予以烧成后，在该基板的表面介于该导电层之间形成一电阻层，并予烧成，以及在该电阻层形成有一电阻调节修整槽，以修整该电阻器的阻抗，最后在该电阻层及电阻调节修整槽上形成一绝缘保护层。本专利技术对照先前技术的功效相较于现有技术，本专利技术有效克服了传统技术中必需选用具有较高功率的雷射光来形成电阻调节修整槽的问题，且经由本专利技术的结构改进，使得修整后的阻抗精度得以改善及控制，并能使芯片电阻器在实际应用时，有效克服了受热产生阻抗变化的缺失。而在采行本专利技术的制程时，可达到量产化使用的有效制程。附图说明图1是显示依据先前技术的制程所完成的芯片电阻器的结构剖视图； 图2是显示依据本专利技术的制程所完成的芯片电阻器的结构剖视图；图3是显示本专利技术的制作流程图；图4A至图4F是显示本专利技术在制作芯片电阻器时各制程的结构示意图。附图标号说明1基板 71导电层21、22背面导电层72镍层31、32表面导电层73锡层4电阻层 8绝缘保护层5电阻调节修整槽 91导电层61第一绝缘保护层92镍层62第二绝缘保护层93锡层具体实施方式本专利技术所采用的具体方法及控制流程，将藉由以下的实施例及附图作进一步的说明。参阅图2所示，其是显示依据本专利技术的制程所完成的芯片电阻器的结构剖视图。其显示本专利技术制程所完成的芯片电阻器主要包括有一基板1，该基板1可为氧化铝材料所制成。在该基板1的背面印刷形成一对背面导电层21、22，而在该基板1的上表面印刷形成一对表面导电层31、32。在该基板1的表面且介于表面导电层31、32之间印刷形成有一电阻层4，电阻层4的两端电连接于该表面导电层31、32。而在该电阻层4的适当区段位置处形成有一电阻调节修整槽5。在该电阻层4上再形成有一绝缘保护层8，该绝缘保护层8例如可为玻璃或树脂等材料。最后，在该芯片电阻器的两端部顺序地形成一导电层91、一镍层92、及一锡层93。参阅图3所示，其是显示本专利技术的制作流程图，而图4A至图4F是显示本专利技术在制作芯片电阻器时的结构示意图。兹同时配合图3及图4A至图4F，对本专利技术的制程及结构作进一步的说明。本专利技术的制程是首先于步骤101中，制备出一氧化铝基板1，再于步骤102中，在该基板1的背表面印刷形成一对背面导电层21、22(如图4A所示)，之后于步骤103中，在该基板1的上表面印刷形成一对表面导电层31、32(如图4B所示)。在完成该背面导电层21、22及表面导电层31、32之后，于步骤104中予以烧成，再于步骤105中，于该基板1的表面上印刷形成一电阻层4，并予烧成(如图4C所示)。完成该电阻层4之后，即于步骤106中进行雷射修整的步骤，以在该电阻层4中形成一电阻调节修整槽5(如图4D所示)。该电阻调节修整槽5的形成可以雷射光集束的方式在该电阻层4中形成一道宽度约15-45μm的槽体结构，如此可据以调整该电阻层4的阻抗值。完成该电阻调节修整槽5之后，接着在步骤107中，于该电阻层4的表面形成一绝缘保护层8，并予以烧成(如图4E所示)。在完成上述制程后，再于步骤108中，在该芯片电阻器的两端部顺序地形成一导电层91、一镍层92、及一锡层93(如图4F所示)，如此即完成该芯片电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低阻值芯片电阻器的制程，包括下列步骤：（ａ）制备一基板；（ｂ）在该基板的至少一表面形成一对导电层；（ｃ）将该基板连同导电层予以烧成；（ｄ）该基板的表面介于该导电层之间形成一电阻层，并予烧成；（ｅ） 在该电阻层形成有一电阻调节修整槽，以修整该电阻器的阻抗；（ｆ）在该电阻层及电阻调节修整槽上形成一绝缘保护层。

【技术特征摘要】
1.一种低阻值芯片电阻器的制程，包括下列步骤(a)制备一基板；(b)在该基板的至少一表面形成一对导电层；(c)将该基板连同导电层予以烧成；(d)该基板的表面介于该导电层之间形成一电阻层，并予烧成；(e)在该电阻层形成有一电阻调节修整槽，以修整该电阻器的阻抗；(f)在该电阻层及电阻调节修整槽上形成一绝缘保护层。2.如权利要求1所述的低阻值芯片电阻器的制程，其中步骤(b)中包括在该基板的背表面印刷形成一对背面导电层、以及在该基板的上表面印刷形成一对表面导电层的步骤。3.如权利要求1所述的低阻值芯片电阻器的制程，其中步骤(b)中的导电层是以印刷方式形成在该基板的表面，再予以烧成而形成。4.如权利要求1所述的低阻值芯片电阻器的制程，其中步骤(d)中的电阻层是以印刷方式形成在该基板的表面，再予以烧成而形成。5.如权利要求1所述的低阻值芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：周东毅，甄文均，蔡燕山，
申请(专利权)人：信昌电子陶瓷股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]