HRP电阻的制备方法及改变其阻值的方法技术

本发明专利技术提出了一种HRP电阻的制备方法及改变其阻值的方法，对电阻主体进行第一种离子B的注入，然后再进行第二种离子O的注入，由于在一定光照条件下，替位B与间隙O形成不会影响阻值的BsO2i复合体，使B的载流子浓度降低从而可以改变电阻的性质，进而可以改变HRP电阻的阻值，并且，该制备方法简单易行，利于生产。进一步的，提出的改变HRP电阻阻值的方法中，若使HRP电阻阻值变大，仅需进行一定时间和强度的光照即可；如需使HRP电阻阻值变小，只需在一定温度下进行热处理即可。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种HRP电阻的制备方法及改变其阻值的方法。
技术介绍
在半导体芯片的制造过程中，为了实现器件的某些功能，通常会在芯片中制作一些高阻值器件，例如HRP(HighResistancePoly，高电阻多晶硅)电阻。现有技术中HRP电阻的常见的制备方法包括如下几种：方法一：在形成的未掺杂的晶体硅特定区域处直接进行第一种离子注入IMP1(注入的离子如B或BF2)，通过调节注入离子的浓度改变晶体硅的阻值，以达到所需的电阻器件；方法二：在未掺杂的晶体硅上的一部分区域进行第一种离子注入IMP1，再通过HRP的光照步骤，在另一部分区域进行第二种离子注入IMP2，第二种离子注入IMP2的离子类型与第一种离子注入IMP1的离子类型一致，但注入的离子浓度存在差别，同样能够通过调节；方法三：同样在未掺杂的晶体硅上的一部分进行第一种离子注入IMP1；再通过HRP光照步骤，在另一部分区域进行第二种离子注入IMP2，不同的是第二种离子注入IMP2的离子类型与第一种离子注入IMP1的离子类型相反，需要确保的是注入的离子浓度存在一定差别，避免两者是非完全补偿。然而，采用上述方法制备形成的HRP电阻一旦完成，其阻值就会被固定，在某些性能方面缺乏可调节性，即这种固定高阻值器件的应用条件较为单一且严格，对于一些不同的阻值可以实现不同功能的器件来说，这种阻值固定的HRP电阻的器件就难以借以利用，而一种可简易调节电阻的器件价值就能得以体现。因此，需要提出一种阻值可调节的HRP电阻，以满足器件的不同功能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种HRP电阻的制备方法及改变其阻值的方法，制备出的HRP电阻阻值能在一定范围内准确变化，可以使器件满足不同功能。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种HRP电阻的制备方法，包括步骤：提供电阻主体；在所述电阻主体上进行第一种离子注入，所述第一种离子注入的离子类型包括B离子；在所述电阻主体上形成光阻，所述光阻暴露出部分电阻主体；在暴露出的电阻主体上进行第二种离子注入，所述第二种离子注入的离子类型包括O离子；对所述电阻主体进行快速热退火工艺处理，形成HRP电阻。进一步的，在所述的HRP电阻的制备方法中，所述第一种离子注入采用B或者BF2。进一步的，在所述的HRP电阻的制备方法中，所述第二种离子注入采用O2。进一步的，在所述的HRP电阻的制备方法中，所述第二种离子注入的深度与所述第一种离子注入的深度相同。进一步的，在所述的HRP电阻的制备方法中，所述第二种离子注入的浓度高于所述第一种离子注入的浓度1～3个数量级。进一步的，在所述的HRP电阻的制备方法中，所述电阻主体为晶体硅。进一步的，在所述的HRP电阻的制备方法中，所述快速热退火工艺的温度范围是800℃～1200℃，退火时间范围是1s～60min。本专利技术还提出了一种改变HRP电阻阻值的方法，用于改变HRP电阻的阻值，所述的HRP电阻采用如上文任一项所述的HRP电阻的制备方法制备而成，包括步骤：若使所述HRP电阻的阻值增大，则在预定光强下照射所述HRP电阻；若使所述HRP电阻的阻值减小，则在预定温度下对所述HRP电阻进行热处理。进一步的，在所述的改变HRP电阻阻值的方法中，所述光强范围是AM1～AM2。进一步的，在所述的改变HRP电阻阻值的方法中，所述光照时间范围是1小时～2小时。进一步的，在所述的改变HRP电阻阻值的方法中，所述热处理温度范围是100℃～250℃。进一步的，在所述的改变HRP电阻阻值的方法中，所述热处理时间范围是0～20小时。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在：对电阻主体进行第一种离子B的注入，然后再进行第二种离子O的注入，由于在一定光照条件下，替位B与间隙O形成不会影响阻值的BsO2i复合体，使B的载流子浓度降低从而可以改变电阻的性质，进而可以改变HRP电阻的阻值，并且，该制备方法简单易行，利于生产。进一步的，提出的改变HRP电阻阻值的方法中，若使HRP电阻阻值变大，仅需进行一定时间和强度的光照即可；如需使HRP电阻阻值变小，只需在一定温度下进行热处理即可。附图说明图1为本专利技术一实施例中HRP电阻的制备方法的流程图；图2至图5为本专利技术一实施例中HRP电阻制备过程中的剖面示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的HRP电阻的制备方法及改变其阻值的方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图1，在本实施例中，提出了一种HRP电阻的制备方法，包括步骤：S1：提供电阻主体；S2：在所述电阻主体上进行第一种离子注入，所述第一种离子注入的离子类型包括B离子；S3：在所述电阻主体上形成光阻，所述光阻暴露出部分电阻主体；S4：在暴露出的电阻主体上进行第二种离子注入，所述第二种离子注入的离子类型包括O离子；S5：对所述电阻主体进行快速热退火工艺处理，形成HRP电阻。具体的，请参考图2，在步骤S1中，电阻主体10为晶体硅，其可以为单晶硅或者多晶硅，对其进行掺杂可以形成阻值不同的电阻。在步骤S2中，如图3所示，对电阻主体10上进行第一种离子注入，所述第一种离子注入采用B或者BF2，从而可以改变电阻主体10的阻值。本申请中，主要是通过注入不同离子注入浓度来得到不同的电阻值，例如，如需要得到HRP电阻阻值为1千欧姆的高阻值器件，一般注入离子浓度B或BF2为8*1014cm-3；同样当离子注入浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HRP电阻的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供电阻主体；在所述电阻主体上进行第一种离子注入，所述第一种离子注入的离子类型包括B离子；在所述电阻主体上形成光阻，所述光阻暴露出部分电阻主体；在暴露出的电阻主体上进行第二种离子注入，所述第二种离子注入的离子类型包括O离子；对所述电阻主体进行快速热退火工艺处理，形成HRP电阻。

【技术特征摘要】
1.一种HRP电阻的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供电阻主体；
在所述电阻主体上进行第一种离子注入，所述第一种离子注入的离子类型
包括B离子；
在所述电阻主体上形成光阻，所述光阻暴露出部分电阻主体；
在暴露出的电阻主体上进行第二种离子注入，所述第二种离子注入的离子
类型包括O离子；
对所述电阻主体进行快速热退火工艺处理，形成HRP电阻。
2.如权利要求1所述的HRP电阻的制备方法，其特征在于，所述第一种
离子注入采用B或者BF2。
3.如权利要求1所述的HRP电阻的制备方法，其特征在于，所述第二种
离子注入采用O2。
4.如权利要求1所述的HRP电阻的制备方法，其特征在于，所述第二种
离子注入的深度与所述第一种离子注入的深度相同。
5.如权利要求4所述的HRP电阻的制备方法，其特征在于，所述第二种
离子注入的浓度高于所述第一种离子注入的浓度1～3个数量级。
6.如权利要求1所述的HRP电阻的制备方法，其特征在于，所述电阻主
体为晶体硅。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，郑展，徐超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31