【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成超陡倒掺杂沟道的方法,包括:形成掩模,该掩模暴露对应于半导体器件的沟道区和源/漏延伸区的半导体衬底区域;采用掩模执行第一次离子注入,在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第一离子;以及采用掩模执行第二次离子注入,在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类型相同的第二离子,其中第一次离子注入和第二次离子注入形成的注入区部分叠加形成超陡倒掺杂区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:徐秋霞,梁擎擎,吴昊,许高博,周华杰,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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