【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一衬底；一叠层结构，形成于该衬底上，其中该叠层结构包括多条导电条纹及多条绝缘条纹，该多条导电条纹之一位于相邻的两条该绝缘条纹之间，该叠层结构具有一第一侧壁，该第一侧壁的长边沿一通道方向延伸；以及一掺杂层，形成于该第一侧壁中，该掺杂层是由一离子注入作用于该第一侧壁所形成，其中该离子注入的一注入方向与该第一侧壁夹一锐角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈士弘，吕函庭，谢光宇，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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