温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种形成超陡倒掺杂沟道的方法、包括超陡倒掺杂沟道的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成掩模，该掩模暴露对应于半导体器件的沟道区和源/漏延伸区的半导体衬底区域；采用掩模执行第一次离子注入，在半导体衬底中注入与半导体衬底的导电类...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。