多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示领域，为解决现有技术中掩膜版数量过多，工艺复杂且成本过高的问题而设计。一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺形成露出有源层的过孔，源电极和漏电极通过所述过孔与有源层连接；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及ー种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,以下简称TFT-LCD)具有体积小、功耗较低、制造成本相对较低等特点，在当前平板显示器市场占据主导地位。其中采用低温多晶娃(LowTemperature Poly-Silicon,以下简称 LTPS)的 TFT,因为LTPS的迁移率较高等优点，可以进一歩降低成 本，降低不良率，并且可以提高TFT的性能。但是在现有技术中，在制备LTPS-TFT的过程中，为保证所制备的N型和P型的LTPS-TFT的性能良好，需要进行至少7-9次的曝光显影过程，这样ー来，不仅增加了制备LTPS-TFT的流程，还增加了需要准备掩膜版的数量，エ艺流程过于复杂且成本过高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供ー种エ艺简单，成本较低的多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面，本专利技术提供了ー种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，包括如下步骤在基板上形成多晶硅层，采用构图エ艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图エ艺在以后步骤中形成源电极和漏电极的预设位置形成露出有源层的过孔；采用掺杂エ艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图エ艺形成源电极和漏电极。上述多晶硅TFT的制备方法，还包括形成栅金属层，采用构图エ艺形成栅极；在形成栅极的基板上形成第二绝缘层。具体地，所述多晶硅TFT为N-TFT，所述掺杂区域为N型掺杂区域。优选地，所述掺杂元素为磷、神、锑中ー种或几种混合。具体地，所述多晶硅TFT为P-TFT，所述掺杂区域为P型掺杂区域。优选地，所述掺杂元素为硼、铟中的ー种或两种混合。本专利技术还提供一种采用上述制备方法得到的多晶硅TFT。本专利技术还提供一种多晶硅阵列基板，包括上述的多晶硅TFT。本专利技术还提供一种多晶硅阵列基板的制备方法，所述多晶硅阵列基板包括N-TFT和P-TFT，所述N-TFT包括N型掺杂区域，所述P-TFT包括P型掺杂区域，包括如下步骤在基板上形成多晶硅层，采用构图エ艺形成有源层，通过第一次掺杂エ艺对N-TFT或P-TFT的有源层进行掺杂，形成N型掺杂区域或P型掺杂区域；形成第一绝缘层；采用构图エ艺在以后步骤中形成的N-TFT的源电极和漏电极、P-TFT的源电极和漏电极的预设位置形成过孔；采用第二次掺杂エ艺通过所述过孔对露出的有 源层区域进行掺杂，形成P型掺杂区域或N型掺杂区域，所述第二次掺杂エ艺的元素掺杂量小于第一次掺杂エ艺中的元素掺杂量;形成源漏金属层，采用构图エ艺形成源电极和漏电极。具体地，还包括形成栅金属层，采用构图エ艺形成栅极；在形成栅极的基板上形成第二绝缘层。优选地，第二次掺杂エ艺的元素掺杂量为第一次掺杂エ艺中的元素掺杂量的1/3 2/3。优选地，第二次掺杂エ艺的元素掺杂量为第一次掺杂エ艺中的元素掺杂量的1/2。优选地，在基板上形成多晶硅层，采用构图エ艺形成有源层，通过第一次掺杂エ艺对N-TFT或P-TFT的有源层进行掺杂，形成N型掺杂区域或P型掺杂区域的步骤中，所述构图エ艺包括半色调掩膜エ艺、灰阶掩膜エ艺或单狭缝掩膜エ艺。优选地,上述方法还包括形成第三绝缘层，采用构图エ艺在以后步骤中形成像素电极与TFT的漏极预设的连接位置形成过孔。优选地,上述方法还包括形成透明导电层，采用构图エ艺形成像素电极。优选地，在形成多晶硅层之前还包括在基板上形成缓冲层。优选地，所述N-TFT的N型掺杂区域的掺杂元素为磷、神、锑中ー种或几种混合。优选地，所述P-TFT的P型掺杂区域的掺杂元素为硼、铟中的ー种或两种混合。本专利技术还提供一种采用上述制备方法得到的多晶硅阵列基板。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的多晶硅阵列基板。本专利技术实施例提供的ー种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法，通过过孔进行掺杂エ艺，形成有源层两侧的掺杂区域，以形成对应的TFT，从而避免了需要设置专用的掩膜版进行掺杂エ艺，減少了制备TFT阵列基板时所使用的掩膜版的数量，降低了生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的ー些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的多晶硅TFT的制备方法的流程图；图2 图8为本专利技术实施例提供的多晶硅TFT各步骤的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另ー种多晶硅TFT的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种多晶硅阵列基板的制备方法的流程图；图11 图20为本专利技术实施例提供的多晶硅阵列基板各步骤的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术实施例TFT阵列 基板、显示装置及TFT阵列基板制备方法进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例Iー种多晶硅TFT的制备方法，如图I所示，包括如下步骤SI、在基板上形成多晶硅层，采用构图エ艺形成有源层。构图エ艺一般包括光刻胶涂覆、采用掩膜エ艺进行曝光、显影和刻蚀等エ艺。在进行TFT阵列基板的制备之前，首先对基板I进行清洗，从而除净基板I上的灰尘，以避免灰尘造成所制备的TFT的性能的变差等，所述基板I可以为塑料基板或玻璃基板，其中玻璃基板可用于制备硬质阵列基板，塑料基板可以用于制备软质阵列基板。清洗完成后，在基板上形成多晶硅层，多晶硅层可以通过在基板上直接形成多晶硅层的方法，也可采用先在基板上形成非晶硅(a-Si)层，然后再对非晶硅层进行晶化处理以得到多晶硅层。直接形成多晶硅层或非晶硅层的方法具体可以采用化学气相沉积等。形成多晶硅层后，采用构图エ艺形成有源层2。该构图エ艺具体包括以下步骤S101、在形成有多晶硅层的基板上涂覆光刻胶；S102、采用掩膜エ艺对所述涂覆有光刻胶的基板进行曝光和显影，形成光刻完全胶保留区域和光刻胶完全不保留区域；S103、采用刻蚀エ艺对光刻胶完全不保留区域的多晶硅层进行刻蚀，形成多晶硅TFT的有源层2。S104、去除剩余的光刻胶。形成的结构示意图如图2所示。S2、形成第一绝缘层3。在形成有源层的基板上形成第一绝缘层3，该第一绝缘层3可以采用旋涂、化学气相沉积等方法制备。形成的结构示意图如图3所示。S3、形成栅金属层，采用构图エ艺形成栅极4。采用化学气相沉积或溅射法在形成第一绝缘层的基板上形成栅金属层。采用构图エ艺形成栅极4，该构图エ艺具体包括以下步骤S301、在栅金属层上涂覆光刻胶；S302、对所述涂覆有光刻胶的基板进行曝光和显影，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全不保留区域；S303、采用刻蚀エ艺对光刻胶完全不保留区域的栅金属层进行刻蚀，形成栅极4。S304、去除剩余的光刻胶。形成的结构示意图如图4所示。S4、形成第二绝缘层5。在经过S3步骤的基板上形成第二绝缘层5，该第二绝缘层5可采用旋涂、化学气相沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺在以后步骤中形成源电极和漏电极的预设位置形成露出有源层的过孔；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张方振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：