多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示领域，为解决现有技术中掩膜版数量过多，工艺复杂且成本过高的问题而设计。一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺形成露出有源层的过孔，源电极和漏电极通过所述过孔与有源层连接；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及ー种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,以下简称TFT-LCD)具有体积小、功耗较低、制造成本相对较低等特点，在当前平板显示器市场占据主导地位。其中采用低温多晶娃(LowTemperature Poly-Silicon,以下简称 LTPS)的 TFT,因为LTPS的迁移率较高等优点，可以进一歩降低成 本，降低不良率，并且可以提高TFT的性能。但是在现有技术中，在制备LTPS-TFT的过程中，为保证所制备的N型和P型的LTPS-TFT的性能良好，需要进行至少7-9次的曝光显影过程，这样ー来，不仅增加了制备LTPS-TFT的流程，还增加了需要准备掩膜版的数量，エ艺流程过于复杂且成本过高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供ー种エ艺简单，成本较低的多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面，本专利技术提供了ー种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺在以后步骤中形成源电极和漏电极的预设位置形成露出有源层的过孔；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张方振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：