【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
已知的在半导体基板内形成杂质区域的方法包括光刻步骤和离子注入步骤，在光刻步骤中，在半导体基板上形成抗蚀剂图案，在离 子注入步骤中，通过使用抗蚀剂图案将杂质离子(即，用于形成杂质区域的离子)注入半导体基板中。向抗蚀剂图案的去除了光刻胶的一部分注入的杂质离子到达半导体基板，从而形成杂质区域。另一方面，向抗蚀剂图案的保持光刻胶的一部分注入的杂质离子不到达半导体基板，并因此不在半导体基板内形成杂质区域。如上所述，使用与需要形成的杂质区域相对应的抗蚀剂图案来执行离子注入。以下，光刻步骤和离子注入步骤将被统称为“杂质区域形成步骤”。杂质区域的深度方向上的浓度分布取决于注入杂质离子的条件。因此，形成在深度方向上具有不同浓度分布的多个杂质区域需要与杂质区域的数量一样多的杂质区域形成步骤。根据在日本专利公开No. 2006-196769中公开的技术，在两次杂质区域形成步骤中使用的各抗蚀剂图案的开口相互部分重叠，由此形成在深度方向上具有不同浓度分布的三种类型的杂质区域。这减少了杂质区域形成步骤的次数。通过常规的方法，在单次杂质区域形成步骤中形成的杂质...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：手塚智之，篠原真人，川端康博，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：
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