【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管，其特征在于，包括：衬底、形成在所述衬底上的耐高压半导体层、利用高压条件形成在所述耐高压半导体层中的非对称漂移区，非对称漂移区之间的距离为有效的沟道长度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄奕仙，杨斌，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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