一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件制造技术

一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP?SOI?LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分布，提高器件耐压；另一方面，在反向阻断状态时，结型场板辅助耗尽器件漂移区，使器件漂移区掺杂浓度大幅提高，从而降低导通电阻；高K介质用作场介质层，更有利于导通电阻和静态功耗的降低。与常规金属场板相比，结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷；与多晶电阻场板相比，结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。此外，本发明专利技术也与SOI?CMOS电路具有很好的兼容性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件，包括纵向自下而上的衬底层（1）、介质埋层（2）和有源层（3）；所述有源层（3）为第一导电类型掺杂半导体，其中具有：第一导电类型掺杂半导体的漏区（7c）、第一导电类型掺杂半导体的源区（7b）、第二导电类型掺杂半导体体区（6）、第二导电类型掺杂半导体体接触区（7a）；所述第二导电类型掺杂半导体体区（6）位于有源层（3）表面的一侧，所述第一导电类型掺杂半导体的源区（7b）和第二导电类型掺杂半导体体接触区（7a）相邻并位于第二导电类型掺杂半导体体区（6）表面，第一导电类型掺杂半导体的源区（7b）和第二导电类型掺杂半导体体接触区（7a）的共同引出端为源电极（S...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗小蓉，罗尹春，范远航，徐青，魏杰，范叶，王骁玮，周坤，张彦辉，尹超，张波，李肇基，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：