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一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP?SOI?LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分布，提高器件耐压；另...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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