半导体装置制造方法及图纸

提供能够减少导通电阻且保持高耐压的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板；和多个栅电极，包括在与半导体基板平行的面内沿第一方向延伸的部分。半导体基板具有：第一导电型的第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上，包括在与半导体基板平行的面内沿着相对于第一方向和与第一方向正交的第二方向交叉的第三方向延伸、并且相互邻接地交替配置的多个第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；第二导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层上的包含栅电极的正下方区域间的区域，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域；和第一导电型的第四半导体层，设置在第三半导体层的正上方区域内，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，其中，具备：半导体基板；栅电极，具有：多个延伸部分，设置在上述半导体基板上，在与上述半导体基板平行的面内沿第一方向延伸，并沿着与上述第一方向正交的第二方向以等间隔配置；和多个连接部分，设置在上述半导体基板上，对相邻的上述延伸部分彼此进行连接，在各个相邻的上述延伸部分之间，沿着上述第一方向以等间隔配置；沟槽栅电极，设置在上述半导体基板的上部内，上端与上栅电极连接；栅绝缘膜，设置在上述半导体基板和上述栅电极之间；沟槽栅绝缘膜，设置在上述沟槽栅电极和上述半导体基板之间；第一电极，与上述半导体基板的上表面侧连接；以及第二电极，与上述半导体基板的下表面侧连接，上述半导体基板具有：第一导电...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小野升太郎，斋藤涉，仲敏行，谷内俊治，山下浩明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：