横向晶体管制造技术

提出了一种横向晶体管。根据本实用新型专利技术实施例的横向晶体管包括：栅区，形成于栅介质层的第一部分上；以及场板，形成于场介质层上，覆盖该场介质层的至少一部分，并延伸至所述栅介质层上覆盖该栅介质层的第二部分，其中该场板与所述栅区之间具有位于所述栅介质层的第三部分上方的隔离间隙，并且该场板与该横向晶体管的源区耦接。根据本实用新型专利技术实施例的横向晶体管具有相对较小的漏栅电容，也可以具有较低的比导通电阻，还可以具有改善的热载流子寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种横向晶体管，其特征在于，包括：?半导体层，具有第一导电类型；?源区，形成于所述半导体层中，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；?漏区，具有所述第二导电类型，形成于所述半导体层中并与所述源区相分离；?第一阱区，具有所述第二导电类型，形成于所述漏区的外围，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；?栅介电层，形成于所述半导体层上，覆盖位于所述源区和所述第一阱区之间的所述半导体层，并向所述第一阱区上方延伸以覆盖所述第一阱区的第一部分；?场介电层，形成于所述半导体层上，覆盖位于所述漏区和所述栅介电层之间的所述第一阱区的第二部分，并与所述栅介电层衔接，其中该场介电层的厚度大于所述栅介电层的厚度；?栅...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：乔伊·迈克格雷格，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：