【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；其中，所述源极为U形；所述漏极包括呈直线形的第一漏电极，该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李琳，郝昭慧，张明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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