带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种带有InAlP盖层的Ge沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的Ge沟道（101），Ge沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜（103），绝缘间隙壁（107）隔开栅与源/漏极区域（104，105），绝缘间隙壁隔开InAlP盖层与源/漏极区域。InAlP具有比Ge更大的禁带宽度，在InAlP和Ge的界面价带和导带处形成有效的带阶，将导电载流子限制在Ge沟道层中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一基底，其上具有一Ge沟道；一InAlP盖层，位于所述Ge沟道上；一绝缘介电质薄膜，位于所述InAlP盖层上；一栅电极，位于所述绝缘介电质薄膜上；一源极与一漏极，分别位于所述栅电极的两侧；第一绝缘间隙壁，位于所述栅极和源极之间，隔开栅极和源极；第二绝缘间隙壁，位于所述栅极和漏极之间，隔开栅极和漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩根全，刘艳，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：