【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET装置，其包括：在半导体衬底中蚀刻的具有喇叭形缘的漏斗形沟槽，所述喇叭形缘具有大致在所述半导体衬底的顶部表面处的较宽横截面沟槽开口处的上边缘，和终止于所述半导体衬底中的较窄横截面沟槽主体部分的顶部开口处的下边缘；栅电极，其安置在所述漏斗形沟槽中形成于所述喇叭形缘上的栅极氧化物层上；以及源极、栅极和漏极区，其形成在所述半导体衬底中，所述栅极区与所述喇叭形缘邻接，所述漏极区与所述较窄横截面沟槽主体部分的侧壁邻接，其中所述漏极区的顶部与所述栅电极的下边缘对准。
【技术特征摘要】
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