电荷补偿半导体器件制造技术

一种半导体器件包括半导体本体和布置在该本体的第一表面上的源极金属化。所述本体包括：含有补偿结构的第一半导体层；邻接第一层的第二半导体层，所述第二半导体层包括第一传导类型的半导体材料并且具有低于所述半导体材料的单位面积击穿电荷的水平单位面积掺杂电荷；邻接第二层的第一传导类型的第三半导体层，并且所述第三半导体层包含自充电电荷陷阱、浮动场板以及与第三层形成pn结的第二传导类型的半导体区域中的至少一个；并且第一传导类型的第四半导体层，所述第四半导体层与第三层邻接并且具有高于第三层的最大掺杂浓度的最大掺杂浓度。第一半导体层被布置在第一表面和第二半导体层之间。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括具有限定竖直方向的第一表面(101)的半导体本体(40)和布置在所述第一表面(101)上的源极金属化(10)，所述半导体本体(40)在竖直横截面中还包括：?第一传导类型的漂移区域(1，1a)；?第二传导类型的至少两个补偿区域(6)，所述补偿区域(6)中的每个都与漂移区域形成pn结并与源极金属化低阻电连接；?第一传导类型的漏极区域(4)，所述漏极区域(4)的最大掺杂浓度高于漂移区域的最大掺杂浓度；以及?第一传导类型的第三半导体层(3)，所述第三半导体层(3)被布置在漂移区域和漏极区域之间并包含浮动场板(7)和与第三半导体层形成pn结的第二传导类型的浮动半导体区域(5a，6a...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·加梅里特，F·希尔勒，H·韦伯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：