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一种半导体器件包括半导体本体和布置在该本体的第一表面上的源极金属化。所述本体包括：含有补偿结构的第一半导体层；邻接第一层的第二半导体层，所述第二半导体层包括第一传导类型的半导体材料并且具有低于所述半导体材料的单位面积击穿电荷的水平单位面积掺...
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